### NTD2955VT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD2955VT4G-VB 是一款高效能的 P-Channel MOSFET，采用 TO252 封裝，專為高壓負(fù)載設(shè)計(jì)。憑借其 Trench 技術(shù)，該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適合多種電源管理應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-P-Channel
- **VDS**: -60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: -1.7V
- **RDS(ON)**: 72mΩ (VGS=4.5V) / 61mΩ (VGS=10V)
- **ID**: -30A
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊
NTD2955VT4G-VB 廣泛應(yīng)用于電源管理模塊，例如開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，尤其適用于需要負(fù)壓開關(guān)的場(chǎng)合。此外，它適合汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)，常見于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率放大器。憑借其優(yōu)異的性能，這款 MOSFET 能夠滿足高效能和可靠性的需求。