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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD3055-150T4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTD3055-150T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:NTD3055-150T4G-VB

NTD3055-150T4G-VB是一款高性能的N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極-源電壓(VDS)為60V,適合在電源轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)電路中使用。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為1.7V,能夠在較低的柵極電壓下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān),確保高效的性能。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時(shí)為85mΩ,在VGS為10V時(shí)為73mΩ,支持最大持續(xù)漏極電流(ID)為18A,適用于高功率要求的應(yīng)用。采用Trench技術(shù),該器件提供優(yōu)異的電氣性能和散熱能力。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號**:NTD3055-150T4G-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏極-源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理**:
  NTD3055-150T4G-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,以其高效率和低功耗特性,適合用于高頻電源設(shè)計(jì)。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  該MOSFET適用于直流電動(dòng)機(jī)控制電路,能夠高效驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī),廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具和自動(dòng)化設(shè)備中。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  在LED照明應(yīng)用中,NTD3055-150T4G-VB可以作為開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的LED驅(qū)動(dòng),適用于家庭和商業(yè)照明解決方案。

4. **負(fù)載開關(guān)**:
  該MOSFET可用作高效負(fù)載開關(guān),適合用于家電、工業(yè)設(shè)備和電源切換,提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

5. **高頻開關(guān)應(yīng)用**:
  NTD3055-150T4G-VB因其卓越的開關(guān)特性,適合用于高頻信號處理電路,如射頻應(yīng)用和通信設(shè)備。

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