### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD40N03RT4G-VB是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為低導(dǎo)通電阻和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其卓越的開關(guān)性能和高效能使其成為電源管理和轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇，能夠在較低的電壓條件下實(shí)現(xiàn)高效能。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單一N通道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 30V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: ±20V
- **Vth（閾值電壓）**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 9mΩ（@VGS=4.5V），7mΩ（@VGS=10V）
- **ID（最大連續(xù)漏電流）**: 70A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NTD40N03RT4G-VB廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)和電機(jī)控制等領(lǐng)域。在電源管理模塊中，該MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換；在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，它提供穩(wěn)定的輸出電流；在LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，能夠確保一致的光輸出；而在電機(jī)控制系統(tǒng)中，確保高效的驅(qū)動(dòng)能力以滿足各種負(fù)載需求。