### 產(chǎn)品簡介
NTD4302T4G-VB是一款高效的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，設(shè)計(jì)用于要求高導(dǎo)電性和快速開關(guān)能力的應(yīng)用。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，提供極低的導(dǎo)通電阻，適合高頻和高電流場合，確保系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **配置**: 單個N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 6mΩ（VGS=4.5V），5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域
NTD4302T4G-VB廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電動機(jī)驅(qū)動等多個領(lǐng)域。在消費(fèi)電子設(shè)備（如手機(jī)和筆記本電腦）、汽車電子系統(tǒng)以及工業(yè)自動化設(shè)備中，憑借其卓越的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性，有效提升了整體能效和性能，滿足了嚴(yán)苛的應(yīng)用需求。