型號：12N10-VB
絲印：VBE1101M
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：100V
- 最大連續(xù)電流：18A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：1.6V
- 封裝類型：TO252

應(yīng)用簡介：
12N10-VB是一款高電壓、高電流N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），適用于需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 電源管理：這種高電壓、高電流MOSFET可用于電源開關(guān)、電源逆變器、電源供應(yīng)和穩(wěn)壓器等應(yīng)用，以提供高效的電能控制和穩(wěn)定的電壓輸出。

2. 電機(jī)控制：它適用于高功率電機(jī)控制，如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、直流電機(jī)控制、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和電機(jī)保護(hù)電路。

3. 汽車電子：在汽車電子中，這種MOSFET可以用于車輛電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電設(shè)備等應(yīng)用。

4. 高頻開關(guān)電源：用于高頻開關(guān)電源和逆變器，例如用于通信設(shè)備、太陽能逆變器、變頻空調(diào)等領(lǐng)域。

5. 高性能電子設(shè)備：適用于需要高電流、高電壓開關(guān)的高性能電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)。

總之，12N10-VB MOSFET適用于需要高功率、高電壓、高電流性能的電子應(yīng)用領(lǐng)域。這種組件有助于提高系統(tǒng)效率、可靠性和電能控制，因此在各種領(lǐng)域的模塊和電路中廣泛應(yīng)用。