服務(wù)內(nèi)容

芯片開封測(cè)試是芯片制造、封裝環(huán)節(jié)中非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，它能對(duì)芯片的可靠性、品質(zhì)和生產(chǎn)成本等方面產(chǎn)生重要的影響。因此，在芯片應(yīng)用領(lǐng)域，開展芯片開封測(cè)試是非常關(guān)鍵的。廣電計(jì)量可提供化學(xué)開封、激光開封以及機(jī)械開封等檢測(cè)方法。結(jié)合OM,X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。

服務(wù)范圍

IC芯片半導(dǎo)體

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 37045-2018 信息技術(shù) 生物特征識(shí)別 指紋處理芯片技術(shù)要求

GB/T 36613-2018 發(fā)光二極管芯片點(diǎn)測(cè)方法

GB/T 33922-2017 MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級(jí)試驗(yàn)方法

GB/T 28856-2012 硅壓阻式壓力敏感芯片

EIA EIA-763-2002 自動(dòng)裝配用裸芯片和芯片級(jí)封裝,使用8 mm和12 mm載體帶捆扎

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)將不定期更新，可聯(lián)系客服獲取最新的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。

測(cè)試項(xiàng)目

芯片開封測(cè)試是指對(duì)芯片外殼打開后，對(duì)芯片內(nèi)部的電性能、可靠性以及物理參數(shù)進(jìn)行測(cè)量和分析，進(jìn)而評(píng)估芯片質(zhì)量的過程。具體包括以下范圍：

1、電參數(shù)測(cè)試

電參數(shù)測(cè)試是芯片開封測(cè)試中*為基礎(chǔ)的部分，也是*為關(guān)鍵的一部分。主要測(cè)試項(xiàng)包括靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、功耗、溫度等方面的測(cè)試。靜態(tài)特性包括電阻、電容、電感等測(cè)試，而動(dòng)態(tài)特性包括電壓、電流、頻率等測(cè)試。

2、物理性能測(cè)試

物理性能測(cè)試是芯片開封測(cè)試中整個(gè)過程中不可或缺的一部分。主要測(cè)試項(xiàng)包括硬度測(cè)試、粘接強(qiáng)度測(cè)試、應(yīng)力測(cè)試等方面的測(cè)試。這些測(cè)試可以直接反映芯片封裝的質(zhì)量，也是保證芯片正常工作的基礎(chǔ)。

3、IC可靠性測(cè)試

IC可靠性測(cè)試是芯片開封測(cè)試過程中非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，它是芯片封裝良好不良好的標(biāo)志。主要測(cè)試項(xiàng)包括IC粘合可靠性、外部連接可靠性、溫度循環(huán)等方面的測(cè)試，這些測(cè)試可以為芯片使用提供更加穩(wěn)定的保障。

4、造型尺寸測(cè)試

造型尺寸測(cè)試是指對(duì)芯片體積、尺寸、平面度、直線度等方面的測(cè)試，它們可以直接影響IC在使用過程中的穩(wěn)定性和可靠性。

檢測(cè)資質(zhì)

CNAS、CMA

 檢測(cè)周期

常規(guī)5-7個(gè)工作日

服務(wù)背景

半導(dǎo)體芯片在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著極為重要的角色，而芯片開封測(cè)試便是對(duì)芯片質(zhì)量的評(píng)估，從而保證芯片正常應(yīng)用。芯片開封測(cè)試是芯片制造、封裝的重要環(huán)節(jié)，也是提高芯片質(zhì)量的關(guān)鍵部分。本文將為您介紹芯片開封測(cè)試的范圍及其重要性。

我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量聚焦集成電路失效分析技術(shù)，擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團(tuán)隊(duì)及目前市場(chǎng)上最先進(jìn)的Ga-FIB系列設(shè)備，可為客戶提供完整的失效分析檢測(cè)服務(wù)，幫助制造商快速準(zhǔn)確地定位失效，找到失效根源。同時(shí)，我們可針對(duì)客?的研發(fā)需求，提供不同應(yīng)?下的失效分析咨詢、協(xié)助客戶開展實(shí)驗(yàn)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù)，如配合客戶開展NPI階段驗(yàn)證，在量產(chǎn)階段(MP)協(xié)助客戶完成批次性失效分析。