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仁懋電子

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仁懋電子技術(shù)

基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動電路：柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動電路中，MOSFET作為功率開關(guān)器件，其柵極與源極之間存在等效電容（Ciss=Cgd+C...

2025-09-27 標(biāo)簽：MOSFET 直流電機(jī)MOS 345 0

MOT (仁懋) MOT8125T 技術(shù)全解析

在工業(yè)電源、新能源充電樁等大功率電力電子系統(tǒng)中，MOSFET的開關(guān)速度與功率承載能力直接決定整機(jī)性能上限。MOT(仁懋)作為國家級專精特新“小巨人”企業(yè)...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOS 仁懋電子 344 0

MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計算設(shè)備電源管理、快速/無線充...

2025-10-24 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 343 0

MOT (仁懋) MOT7136T 技術(shù)全解析

在400V以上高壓工業(yè)電源、100kW級新能源逆變器等場景中，MOSFET的反向耐壓能力與低損耗特性直接決定系統(tǒng)安全性與能效。MOT(仁懋)推出的MOT...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 337 0

MOT1145HD 技術(shù)解析：仁懋 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 特性與應(yīng)用

一、基本參數(shù)與結(jié)構(gòu)MOT1145HD是**仁懋電子（MOT）**推出的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（MOSFET），采用TO-252貼片封裝，適用于中大功率開關(guān)...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 332 0

MOT (仁懋) MBR20200F 肖特基整流二極管技術(shù)全解析

在開關(guān)電源、高頻逆變器等電力電子設(shè)備中，肖特基整流二極管的性能直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作為10A級別肖特基整流器...

2025-10-20 標(biāo)簽：MOS 肖特基二極管仁懋電子 332 0

MOT2045D 20A 肖特基勢壘整流器技術(shù)解析：高效整流的可靠之選

在開關(guān)電源、高頻整流等高效電力電子場景中，肖特基整流器憑借低正向壓降、快開關(guān)速度的優(yōu)勢成為核心器件之一。本文針對仁懋電子（MOT）的MOT2045D型號...

2025-10-23 標(biāo)簽：整流器 MOS 仁懋電子 284 0

MOT (仁懋) MBR10150F 技術(shù)全解析

在開關(guān)電源、高頻逆變器等中功率電力電子系統(tǒng)中，肖特基整流二極管的正向壓降與浪涌耐受能力直接影響系統(tǒng)能效與可靠性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作...

2025-10-21 標(biāo)簽：MOS 仁懋電子 164 0

MOT (仁懋) MOT1145HD技術(shù)全解析

在12V/24V工業(yè)電源、低壓電機(jī)驅(qū)動等中功率電力電子場景中，MOSFET的導(dǎo)通損耗與電流承載能力直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MOT1...

2025-10-21 標(biāo)簽：MOS MOT 仁懋電子 133 0

MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景

在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，N+N增強(qiáng)型MOSFET憑借多單元集成的架構(gòu)，在電機(jī)驅(qū)動、電動設(shè)備控制等場景中展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。本文將針對仁懋電子（MOT）的MOT...

2025-10-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 126 0

MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景

在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域，N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對仁懋電子（MOT）的MOT3150J型號，從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢...

2025-10-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 123 0

MOT8576T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析：大功率場景的性能標(biāo)桿

在大功率電力電子系統(tǒng)中，MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與熱管理能力直接決定系統(tǒng)的可靠性與能效。本文聚焦仁懋電子（MOT）的MOT8576T型號，從...

2025-10-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 114 0

MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

MOT2165J是仁懋電子（MOT）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場景，以低導(dǎo)通損...

2025-10-24 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 109 0

MOT (仁懋) MOT4160G 技術(shù)全解析：41.6kΩ 精密網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級信號處理方案

在工業(yè)自動化控制、精密儀器儀表等對電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場景中，網(wǎng)絡(luò)電阻的阻值一致性、溫度特性及抗干擾能力直接決定電路信號處理的準(zhǔn)確性。MOT(仁懋...

2025-10-22 標(biāo)簽：電阻 MOS 仁懋電子 83 0

MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯...

2025-10-24 標(biāo)簽：MOSFET MOS 仁懋電子 68 0

MOT (仁懋) MBR2045A 技術(shù)全解析：20A/45V 低壓肖特基整流二極管的高效應(yīng)用方案

在低壓開關(guān)電源、電池充電模塊等對導(dǎo)通損耗敏感的場景中，肖特基二極管的正向壓降與電流承載能力直接決定系統(tǒng)能效。MOT(仁懋)推出的MBR2045A肖特基整...

2025-10-22 標(biāo)簽：整流二極管 MOT 仁懋電子 65 0

MBR10200A 肖特基勢壘整流器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MBR10200A是仁懋電子（MOT）推出的10A肖特基勢壘整流器，具備低正向壓降、高浪涌電流容量等技術(shù)特性，適配TO-220、TO-220...

2025-10-24 標(biāo)簽：整流器 MOS 仁懋電子 55 0

MOT (仁懋) MOT4733J 技術(shù)全解析：高精度網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級應(yīng)用方案

在工業(yè)控制、精密儀器等對電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場景中，網(wǎng)絡(luò)電阻的一致性、功率承載及環(huán)境適應(yīng)性直接影響電路性能。MOT(仁懋)推出的MOT4733J隔...

2025-10-22 標(biāo)簽：MOS 網(wǎng)絡(luò)電阻仁懋電子 42 0

MOT (仁懋) MOT4170J 技術(shù)全解析：精密薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級信號處理方案

在工業(yè)自動化、精密儀器儀表等對電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場景中，網(wǎng)絡(luò)電阻的阻值一致性、溫度特性及抗干擾能力直接影響電路信號處理的準(zhǔn)確性。MOT(仁懋)推...

2025-10-22 標(biāo)簽：電阻 MOS 仁懋電子 37 0

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74LS00是一個內(nèi)部擁有四個獨立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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