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標(biāo)簽 > 信號(hào)完整性
信號(hào)完整性是指信號(hào)在傳輸路徑上的質(zhì)量,傳輸路徑可以是普通的金屬線,可以是光學(xué)器件,也可以是其他媒質(zhì)。信號(hào)具有良好的信號(hào)完整性是指當(dāng)在需要的時(shí)候,具有所必需達(dá)到的電壓電平數(shù)值。差的信號(hào)完整性不是由某一單一因素導(dǎo)致的,而是板級(jí)設(shè)計(jì)中多種因素共同引起的。
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納芯微NSI824x器件:高可靠國(guó)產(chǎn)隔離器優(yōu)選
前言在電氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,隔離器件是保障系統(tǒng)安全和信號(hào)完整性的關(guān)鍵組成部分。隨著工業(yè)4.0、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,對(duì)數(shù)字隔離器的性能、可靠性和安全性提...
2025-10-11 標(biāo)簽:信號(hào)完整性隔離器電氣系統(tǒng) 491 0
?CDC2351 1線轉(zhuǎn)10線時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該CDC2351是一種高性能時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器電路,可將一個(gè)輸入 (A) 分配到十個(gè)輸出 (Y),時(shí)鐘分配的偏斜最小。輸出使能 (OE\) 輸入將輸出禁用為高阻...
2025-09-24 標(biāo)簽:電路輸出電壓信號(hào)完整性 426 0
?CDC2351-Q1 1:10時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該CDC2351是一種高性能時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器電路,可將一個(gè)輸入 (A) 分配到十個(gè)輸出 (Y),時(shí)鐘分配的偏斜最小。輸出使能 (OE\) 輸入將輸出禁用為高阻...
2025-09-22 標(biāo)簽:電源電路信號(hào)完整性 558 0
?CDC2351-EP 1線至10線時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
CDC2351是一種高性能時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器電路,可將一個(gè)輸入 (A) 分配到 10 個(gè)輸出 (Y),時(shí)鐘分配的偏斜最小。輸出使能 (OE)\ 輸入將輸出禁用到...
2025-09-19 標(biāo)簽:信號(hào)完整性引腳BiCMOS 754 0
所有輸入均兼容 1.5 V 和 1.35 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動(dòng)器,可在 DDR3 RDIMM 應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)端接走線上的 D...
2025-09-17 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器DRAM 519 0
這款具有奇偶校驗(yàn)功能的 JEDEC SSTE32882 28 位 1:2 或 26 位 1:2 和 4 位 1:1 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于在 V~DD~...
2025-09-16 標(biāo)簽:CMOS寄存器信號(hào)完整性 464 0
?SN74SSQEC32882 芯片技術(shù)文檔總結(jié)
這款具有奇偶校驗(yàn)的 1:2 或 26 位 1:2 和 4 位 1:1 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于在 V~DD~1.5 V,在 V~DD~1.35 V 和 V...
2025-09-15 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器寄存器 653 0
技術(shù)資訊 I 信號(hào)完整性與阻抗匹配的關(guān)系
本文要點(diǎn)PCB走線和IC走線中的阻抗控制主要著眼于預(yù)防反射。防止互連路徑上發(fā)生反射,可確保功率傳輸至負(fù)載,同時(shí)避免其他信號(hào)完整性問題。使用集成場(chǎng)求解器的...
2025-09-05 標(biāo)簽:pcb阻抗匹配信號(hào)完整性 2.9k 0
知識(shí)分享-信號(hào)帶寬與上升時(shí)間的關(guān)系
信號(hào)完整性揭秘-于博士SI設(shè)計(jì)手記2.6信號(hào)帶寬與上升時(shí)間的關(guān)系2.4節(jié)已經(jīng)說明了由信號(hào)的頻譜可以得到時(shí)域波形,實(shí)質(zhì)上是傅里葉逆變換過程,只不過對(duì)于周期...
2025-08-15 標(biāo)簽:信號(hào)完整性信號(hào)頻譜信號(hào)帶寬 683 0
REF3425 2.5V、低漂移、低功耗、小尺寸串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)
REF34xx 器件是一款低溫漂移 (6 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和低于 95 ...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOS信號(hào)完整性引腳 761 0
?REF2125 低漂移、低功耗、小尺寸系列電壓參考芯片技術(shù)文檔總結(jié)
REF2125器件是一款低溫漂移(6 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和功耗小于 95 ...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOS信號(hào)完整性基準(zhǔn)電壓源 645 0
REF3433 3.3V、低漂移、低功耗、小尺寸串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)
REF34xx 器件是一款低溫漂移 (6 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和功耗小于 9...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOSadc信號(hào)完整性 727 0
REF3430 3V、低漂移、低功耗、小封裝串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源數(shù)據(jù)手冊(cè)
REF34xx 器件是一款低溫漂移 (6 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和功耗小于 9...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOS封裝信號(hào)完整性 729 0
REF3440 4.1V、低漂移、低功耗、小尺寸串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)
REF34xx 器件是一款低溫漂移 (6 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和功耗小于 9...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOS封裝信號(hào)完整性 684 0
REF3450 5V、低漂移、低功耗、小尺寸串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)
REF34xx 器件是一款低溫漂移 (6 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和功耗小于 9...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOS封裝信號(hào)完整性 772 0
?REF34-Q1系列電壓參考器件技術(shù)文檔總結(jié)
REF34-Q1 器件是低溫漂移 (6 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源。這些器件具有 ±0.05% 的初始精度和低工作電流,功耗低...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOS信號(hào)完整性引腳 557 0
?REF34xx-EP 3V、低漂移、低功耗、小尺寸串聯(lián)基準(zhǔn)電壓源技術(shù)文檔總結(jié)
REF34xx-EP 器件是一款低溫漂移(10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和低于 ...
2025-08-11 標(biāo)簽:CMOS封裝信號(hào)完整性 679 0
?REF34xx-EP系列電壓參考器件技術(shù)文檔總結(jié)
REF34xx-EP 器件是一款低溫漂移(10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 基準(zhǔn)電壓源,具有 ±0.05% 的初始精度、低工作電流和低于 ...
2025-08-11 標(biāo)簽:封裝dac信號(hào)完整性 516 0
知識(shí)分享-有限上升時(shí)間信號(hào)的反射波形(信號(hào)完整性揭秘)
信號(hào)完整性揭秘-于博士SI設(shè)計(jì)手記4.4有限上升時(shí)間信號(hào)的反射波形從上一節(jié)討論中我們知道,阻抗不連續(xù)的點(diǎn)處,反射信號(hào)是人射信號(hào)的一個(gè)副本,并討論了上升時(shí)...
2025-08-01 標(biāo)簽:信號(hào)信號(hào)完整性上升時(shí)間 638 0
信號(hào)完整性(SI)與電磁兼容性(EMC)的共性與差異分析
一共性分析1.理論基礎(chǔ)兩者均基于電磁場(chǎng)理論,涉及高頻信號(hào)傳播中的電磁現(xiàn)象,如反射、輻射、耦合等。2.設(shè)計(jì)優(yōu)化目標(biāo)均需在電路設(shè)計(jì)階段通過布局布線優(yōu)化、抑制...
2025-07-29 標(biāo)簽:信號(hào)完整性emc電磁兼容性 514 0
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