一文解析DARM工藝流程

DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的工藝流程包括多個(gè)關(guān)鍵步驟。

2024-04-05 標(biāo)簽：電容晶圓存儲(chǔ)單元 9.7k 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過(guò)程。

2024-03-18 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻 3.6k 0

刻蝕機(jī)是干什么用的 刻蝕機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將...

2024-03-11 標(biāo)簽：芯片制造光刻光刻機(jī) 1.6萬(wàn) 0

淺談不同階段光刻機(jī)工作方式

在曝光過(guò)程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)...

2024-03-08 標(biāo)簽：芯片制造光刻光刻機(jī) 2.7k 0

了解衍射的來(lái)源和含義

本文從來(lái)源和含義以及計(jì)算光刻方面講了衍射的來(lái)源。

2024-01-19 標(biāo)簽：衍射光源光刻 3.1k 0

解析光刻芯片掩模的核心作用與設(shè)計(jì)

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏...

2024-01-18 標(biāo)簽：印刷電路板芯片制造光刻 2.2k 0

光刻掩膜版保護(hù)膜常見的類型有哪些？

掩膜版保護(hù)膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產(chǎn)中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對(duì)掩膜版起物理與化學(xué)保護(hù)作用。

2024-01-04 標(biāo)簽：光刻EUV芯片制程 2.4k 0

全面解析***結(jié)構(gòu)及工作原理

光刻與光刻機(jī) ?對(duì)準(zhǔn)和曝光在光刻機(jī)(Lithography Tool)內(nèi)進(jìn)行。 ?其它工藝在涂膠顯影機(jī)(Track)上進(jìn)行。 光刻機(jī)結(jié)...

2023-12-19 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)IC設(shè)計(jì)測(cè)量系統(tǒng) 1.3k 0

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧蚰z時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

2023-12-15 標(biāo)簽：晶圓光刻光刻膠 3.6k 0

深度解析多層互連的過(guò)孔設(shè)計(jì)

交錯(cuò)的孔會(huì)引入寄生電阻和寄生電容，除非是設(shè)計(jì)本來(lái)就有的，否則寄生效應(yīng)會(huì)對(duì)電路性能構(gòu)成不利的影響，會(huì)增加后仿真中調(diào)整參數(shù)的工作量。

2023-12-14 標(biāo)簽：集成電路電容cpu 1.9k 0

光刻各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)的不同模型種類

光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的光源，通過(guò)光刻...

2023-12-11 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 2.8k 0

這可能最簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體工藝流程

共讀好書 你即使從來(lái)沒(méi)有學(xué)過(guò)物理，從來(lái)沒(méi)學(xué)過(guò)數(shù)學(xué)也能看懂，但是有點(diǎn)太簡(jiǎn)單了，適合入門，如果你想了解更多的CMOS內(nèi)容，就要看這一期的內(nèi)容了，因?yàn)橹挥辛私?..

2023-12-08 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體光刻 1.4k 0

電子束加工與離子束加工工藝比較

電子束加工（Electron Beam Machining 簡(jiǎn)稱EBM）起源于德國(guó)。1948年德國(guó)科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用...

2023-12-07 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)光刻電子束 2.9k 0

用于高分辨率制造的低成本顯微投影光刻系統(tǒng)

集成光信號(hào)分配、處理和傳感網(wǎng)絡(luò)需要小型化基本光學(xué)元件，如波導(dǎo)、分光器、光柵和光開關(guān)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，需要能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率制造的方法。

2023-12-04 標(biāo)簽：mems高分辨率光刻 1.1k 0

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

2023-11-29 標(biāo)簽：電路半導(dǎo)體光刻 1.4k 0

金屬Cr詳解

在光刻過(guò)程中，鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過(guò)PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層...

2023-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻金屬 6.8k 0

ASML攜全景光刻解決方案亮相進(jìn)博會(huì)

第六屆進(jìn)博會(huì)于近日在上海國(guó)家會(huì)展中心正式收官，ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續(xù)以“光刻未來(lái)，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案...

2023-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1.6k 0

光刻可制造性檢查如何檢測(cè)掩模版質(zhì)量

隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬(wàn)到上億，呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，同時(shí)生產(chǎn)掩模版的時(shí)間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標(biāo)簽：探測(cè)器晶圓光刻 2.3k 0