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      標簽　>　光刻

      光刻

      +關(guān)注7人關(guān)注

      光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術(shù)。

      文章：296個 瀏覽：31096次 帖子：5個

      光刻技術(shù)

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      2023-10-23 標簽：超聲波光刻封裝工藝 2.8k 0

      光刻區(qū)為什么選黃光燈？為什么不使用紅光或綠光？

      黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。

      2023-10-11 標簽：紫外線光刻光刻膠 4.3k 0

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      2023-10-10 標簽：MPW芯片設(shè)計光刻 3.3k 0

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      2023-10-09 標簽：電路圖光刻光刻機 5.1k 0

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      2023-09-27 標簽：傳感器芯片內(nèi)存 1.5k 0

      極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

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      歐洲極紫外光刻（EUVL）技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...

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      2023-09-22 標簽：芯片芯片制造光刻 4.2k 0

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      2023-09-05 標簽：集成電路電阻電容 2.6k 0

      光伏電池測試標準有哪些 光伏電池的分類有哪些

      光伏電池可以根據(jù)不同的材料和工藝進行分類。以下是一些常見的光伏電池分類： 　　1. 硅晶體太陽能電池：硅晶體太陽能電池是最常見和廣泛應(yīng)用的光伏電池類型...

      2023-08-28 標簽：太陽能電池光伏電池光伏 5k 0

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      2023-08-07 標簽：光刻電子束 1.1k 0

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      2023-08-01 標簽：光刻EUV光刻膠 821 0

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      CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 C...

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      2023-07-10 標簽：內(nèi)存光刻機器學習 2.8k 0

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      2023-07-05 標簽：光刻半導體封裝3D芯片 1.4k 0

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      圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

      2023-06-26 標簽：半導體晶圓光刻 2.7k 0

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        AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時，AMS1117器件的最小壓差保證不超過1.3V，并隨負載電流的減小而逐漸降低。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        德州儀器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器包含多種器件，它們特有面向多種應(yīng)用的不同外設(shè)集。這種架構(gòu)與5種低功耗模式相組合，專為在便攜式測量應(yīng)用中延長電池使用壽命而優(yōu)化。該器件具有一個強大的16位 RISCCPU，16位寄存器和有助于獲得最大編碼效率的常數(shù)發(fā)生器。
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        　　基準電壓是指傳感器置于0℃的溫場（冰水混合物），在通以工作電流（100μA）的條件下，傳感器上的電壓值。實際上就是0點電壓。其表示符號為V（0），該值出廠時標定，由于傳感器的溫度系數(shù)S相同，則只要知道基準電壓值V（0），即可求知任何溫度點上的傳感器電壓值，而不必對傳感器進行分度。
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