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標(biāo)簽 > 內(nèi)存技術(shù)
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DDR4(Double Data Rate 4)作為當(dāng)前主流的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù),相較于其前身DDR3,在性能、功耗、容量等多個(gè)方面都有了顯著提升。
2024-09-04 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)DDR4內(nèi)存技術(shù) 1.2萬 0
摘要:本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品...
2023-09-27 標(biāo)簽:DDR3計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)中心 5.3k 0
內(nèi)存“思維速度”讓數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為價(jià)值
具體來說,混合云模型選擇將較為輕量的工作負(fù)載放入公有云中,憑借虛擬化的技術(shù)手段將本地工作負(fù)載納入快速部署的“行列”,隨之允許將IT組織內(nèi)部運(yùn)營(yíng)的重點(diǎn)集中...
2019-03-08 標(biāo)簽:英特爾云計(jì)算內(nèi)存技術(shù) 3k 0
NVIDIA最強(qiáng)CPU芯片架構(gòu)——NVIDIA Grace CPU
NVIDIA Grace Hopper Superchip將節(jié)能、高帶寬的 NVIDIA Grace CPU 與功能強(qiáng)大的 NVIDIA H100 Ho...
在Hot Chips 2023上,三星展示了內(nèi)存技術(shù),內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。
2023-10-07 標(biāo)簽:cpuAI內(nèi)存技術(shù) 2.2k 0
DDR作為一種內(nèi)存技術(shù)正朝著更高性能、更低功耗的方向發(fā)展。應(yīng)用前景廣闊,將對(duì)半導(dǎo)體、計(jì)算機(jī)、汽車、新能源及各行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生影響巨大。
家居監(jiān)控市場(chǎng)需求增長(zhǎng),如何選擇內(nèi)存技術(shù)以適應(yīng)新型系統(tǒng)架構(gòu)
家居監(jiān)控系統(tǒng)不同于平板電腦、智能手機(jī)或其他通用型計(jì)算機(jī),具有專用的影像和推理功能,可充分發(fā)揮組件和系統(tǒng)架構(gòu)的效能。
2020-10-27 標(biāo)簽:華邦電子機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)存技術(shù) 2k 0
可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例
分離式內(nèi)存由于可以提升內(nèi)存利用率而備受關(guān)注,現(xiàn)有的分離式內(nèi)存可以根據(jù)它們?nèi)绾喂芾頂?shù)據(jù)分為1)page-based和2)object-based。Page...
2023-10-18 標(biāo)簽:處理器網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)RDMA 1.7k 0
DXG 服務(wù)器配備 8 塊 H100 GPU,6400億個(gè)晶體管,在全新的 FP8 精度下 AI 性能比上一代高 6 倍,可提供 900GB/s 的帶寬。
2023-12-13 標(biāo)簽:NVIDIADDR4內(nèi)存技術(shù) 1.6k 0
內(nèi)存技術(shù)指南(對(duì)內(nèi)存的內(nèi)部構(gòu)造與原理說得很詳細(xì))立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2012-08-24 標(biāo)簽:內(nèi)存技術(shù) 1.6k 6
同樣的食材柿子和雞蛋,你老媽和你老婆能做出兩個(gè)味道。頂級(jí)的大廚在做料理時(shí),講究的最多的就是食材的新鮮。原材料的好壞,是一道佳肴的核心,此原理適用一切制造...
2019-07-08 標(biāo)簽:電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料 4.8k 0
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。...
2024-11-29 標(biāo)簽:大數(shù)據(jù)內(nèi)存技術(shù)DDR5 4k 0
2029年新興記憶體市場(chǎng)200億美元 制造設(shè)備收入翻漲33倍
根據(jù)Objective Analysis和Coughlin Associates(Emerging Memories Ramp Up)最新發(fā)布的研究報(bào)告...
2019-07-10 標(biāo)簽:記憶體內(nèi)存技術(shù)3D Xpoint 3.8k 0
DDR內(nèi)存的工作原理 DDR內(nèi)存的常見故障及解決辦法
DDR內(nèi)存的工作原理 DDR(Double Data Rate)內(nèi)存,即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種高速的內(nèi)存技術(shù)。它允許在時(shí)鐘周期的上升沿和...
2024-11-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸數(shù)據(jù)DDR內(nèi)存 3.1k 0
三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能
三星昨日宣布了一項(xiàng)新的突破,面向 AI 人工智能市場(chǎng)首次推出了 HBM-PIM 技術(shù),據(jù)介紹,新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能,并將功耗降低 71%。 在此...
價(jià)格暴漲500%,HBM3e市場(chǎng)徹底被引爆
內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。
2024-02-23 標(biāo)簽:DRAMDDR內(nèi)存技術(shù) 2.3k 0
美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X 驗(yàn)證
美光科技今日宣布,MediaTek Inc. ( 聯(lián)發(fā)科技 ) 已在其全新的 5G 旗艦智能手機(jī)芯片天璣 9000 平臺(tái)上完成了對(duì)美光 LPDDR5X ...
2021-11-24 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科AI美光 2.3k 0
OpenHarmony構(gòu)建了一套完善的內(nèi)存解決方案——ESWAP
ZRAM 即內(nèi)存壓縮技術(shù),如圖 2 所示,在系統(tǒng)的物理內(nèi)存不足時(shí),將系統(tǒng)物理內(nèi)存的一部分劃分出來作為 ZRAM 分區(qū),然后把不常用的匿名頁壓縮后放到 Z...
2022-05-11 標(biāo)簽:操作系統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)OpenHarmony 1.6k 0
美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案
美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...
2024-03-05 標(biāo)簽:gpu美光科技內(nèi)存技術(shù) 1.5k 0
DDR內(nèi)存市場(chǎng)現(xiàn)狀和未來發(fā)展
近年來,隨著人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、5G通信和游戲產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長(zhǎng),DDR內(nèi)存市場(chǎng)持續(xù)升溫。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù),2023年全球...
2025-06-25 標(biāo)簽:DDR3DDR內(nèi)存內(nèi)存技術(shù) 1.5k 0
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