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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕

反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件...

2018-12-14 標簽：半導(dǎo)體刻蝕 7.2萬 0

深度解讀TSV 的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)

要實現(xiàn)三維集成，需要用到幾個關(guān)鍵技術(shù)，如硅通孔（TSV），晶圓減薄處理，以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點，被認為是三維...

2017-11-24 標簽：tsv 硅通孔刻蝕 6.6萬 2

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

2023-02-13 標簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.2萬 0

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區(qū)別

刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯...

2023-07-28 標簽：集成電路蝕刻芯片封裝 1.1萬 0

刻蝕分為哪兩種方式刻蝕的目的和原理

刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。

2023-08-01 標簽：集成電路電子器件刻蝕 1.1萬 0

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材...

2023-06-20 標簽：半導(dǎo)體晶硅刻蝕 8.7k 0

等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

2024-04-12 標簽：晶體管 CCP ICP 8.2k 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標簽：芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 8.1k 0

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

在將晶圓制成半導(dǎo)體的過程中需要采用數(shù)百項工程。其中，一項最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標簽：DRAM 刻蝕 8k 0

微流控芯片的發(fā)展及制造工藝介紹

微全分析系統(tǒng)的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz與Widmer提出的，當(dāng)時主要強調(diào)了分析系統(tǒng)的微與全，及微管道網(wǎng)絡(luò)的MEMS...

2018-09-05 標簽：mems 光刻微流控芯片 7.9k 0

刻蝕帖子

刻蝕資料下載

晶體硅太陽能電池刻蝕的作用及方法與刻蝕的工藝流程等介紹立即下載

類別：電源技術(shù) 2017-09-29 標簽：太陽能電池刻蝕 1.9k 0

刻蝕資訊

中微公司重磅發(fā)布六大半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵

? 中國無錫，2025年9月4日 —— 在第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱 ...

2025-09-04 標簽：中微半導(dǎo)體中微刻蝕 4.7萬 0

濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的...

2022-11-11 標簽：集成電路刻蝕 1.9萬 0

半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化機遇來臨，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還是需要全球合作

目前，國內(nèi)半導(dǎo)體材料與設(shè)備的國產(chǎn)化率平均還不到20%，但經(jīng)過15~20多年的技術(shù)積累，以及企業(yè)和國家的大力投入，半導(dǎo)體材料與設(shè)備在2020年將會獲得實質(zhì)...

2020-05-28 標簽：光刻機刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備 1.4萬 0

干法刻蝕之鋁刻蝕的介紹，它的原理是怎樣的

在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特...

2020-12-29 標簽：集成電路刻蝕 1.1萬 0

詳細分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要：簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...

2020-12-30 標簽：碳化硅刻蝕 1.0萬 0

干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）

干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴散到圓片表面被吸附。

2022-11-10 標簽：等離子體刻蝕 9.5k 0

11家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)H1：刻蝕設(shè)備狂賣50億，最高凈利潤暴漲73%

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）近期，多家上市半導(dǎo)體設(shè)備公司均已公布上半年的財報數(shù)據(jù)。電子發(fā)燒友網(wǎng)統(tǒng)計了北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、屹唐股份、華海清科、...

2025-09-03 標簽：設(shè)備刻蝕 9.4k 0

國產(chǎn)刻蝕機很棒，但造芯片只是“配角”

近來有網(wǎng)絡(luò)媒體稱，“中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機，性能優(yōu)良，將用于全球首條5納米芯片制程生產(chǎn)線”，并評論說“中國芯片生產(chǎn)技術(shù)終于突破歐美封鎖...

2019-02-16 標簽：芯片刻蝕 8.4k 0

干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)

灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化...

2022-07-21 標簽：光刻膠刻蝕 8.1k 0

鈍化層刻蝕對厚鋁鋁須缺陷影響的研究

2018-03-06 標簽：刻蝕集成電路制造 7.7k 0

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