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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

淺談功率半導(dǎo)體燒結(jié)貼片技術(shù)

銀（Ag）/銅（Cu）壓力燒結(jié)（見圖 1）是一種應(yīng)用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。

2021-11-12 標(biāo)簽：熱敏電阻 IGBT 功率半導(dǎo)體 3.7k 0

功率半導(dǎo)體用于什么領(lǐng)域

功率半導(dǎo)體用于電力電子領(lǐng)域。使用固態(tài)設(shè)備，電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力。這些包括汽車、手機(jī)、電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。常常有人將功...

2023-02-02 標(biāo)簽：逆變器功率半導(dǎo)體功率IC 3.7k 0

功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...

2023-11-14 標(biāo)簽：晶閘管晶體管分立器件 3.6k 0

功率半導(dǎo)體和集成電路的區(qū)別

功率半導(dǎo)體和集成電路是兩種不同類型的電子器件，它們在設(shè)計、制造、應(yīng)用等方面有著顯著的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹功率半導(dǎo)體和集成電路的區(qū)別。一、定義功率半導(dǎo)...

2023-12-04 標(biāo)簽：集成電路電機(jī)驅(qū)動晶體管 3.5k 0

簡述碳化硅材料特點及優(yōu)勢

碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3.4k 0

深度解析電動汽車核心器件——IGBT

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。

2023-11-24 標(biāo)簽：cpu IGBT 晶體管 3.3k 0

IGBT模塊的全銅工藝技術(shù)介紹

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Translator, IGBT）是電氣化軌道交通裝備中負(fù)責(zé)電能轉(zhuǎn)換的核心部件。高壓大...

2023-09-07 標(biāo)簽：IGBT 晶體管制造工藝 3.3k 0

PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響

在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。

2023-11-24 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 3.3k 0

功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。

2023-02-06 標(biāo)簽：器件功率半導(dǎo)體功率密度 3.2k 0

IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理

根據(jù)應(yīng)用場景的電壓不同，IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型，其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主，而軌道交通、新能源發(fā)電和...

2023-04-04 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)IGBT 功率半導(dǎo)體 3.2k 0

淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識

電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛，是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。

2024-03-21 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT 電機(jī)控制器 3.2k 0

igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和GTR（大功率晶體管）的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點...

2024-01-10 標(biāo)簽：IGBT 晶體管功率半導(dǎo)體 3.2k 0

碳化硅器件制造那些事兒

離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

2022-11-30 標(biāo)簽：制造功率半導(dǎo)體碳化硅 3.2k 0

超大功率晶閘管的作用及特點

　超大功率晶閘管（Ultra-large Power Thyristor，簡稱ULTRA-T）是一種用于高電壓、高電流場合的功率半導(dǎo)體器件，通常應(yīng)用于工...

2023-02-20 標(biāo)簽：晶閘管高電壓功率半導(dǎo)體 3.1k 0

用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓?fù)涞腟iC MOSFET

效率、生產(chǎn)力和立法是當(dāng)今電力應(yīng)用的主要市場驅(qū)動力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品，節(jié)約能源成本，更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。在這方面，功率...

2024-04-29 標(biāo)簽：三相功率轉(zhuǎn)換 SiC 3.1k 0

功率半導(dǎo)體的封裝方式有哪些

功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣，這些封裝方式不僅保護(hù)了功率半導(dǎo)體芯片，還提供了電氣和機(jī)械連接，確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對功率半導(dǎo)體主要封裝方式的...

2024-07-24 標(biāo)簽：封裝晶體管功率半導(dǎo)體 3.1k 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 3.1k 0

Cu-Clip互連技術(shù)有哪些特點呢？

Cu-Clip技術(shù)，它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中。它的特點有：降低寄生電感和電阻，增加載流能力，相應(yīng)地提高可靠性，以及靈活的形狀設(shè)計。

2023-10-07 標(biāo)簽：IGBT CMC 寄生電感 3k 0

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

2023-11-02 標(biāo)簽：MOSFET 晶閘管 IGBT 3k 0

常用的功率半導(dǎo)體器件

MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動圖MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在...

2019-10-23 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.9k 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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