功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車(chē)中扮演關(guān)鍵角色，占據(jù)電機(jī)控制器價(jià)值量的30%-50%。因此，功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對(duì)于車(chē)企在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中取得成功至關(guān)重要。

2023-12-08 標(biāo)簽：電機(jī)控制器 SiC 功率半導(dǎo)體 2.6k 0

探秘銅基板：IGBT高效散熱的關(guān)鍵所在

隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...

2024-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 功率半導(dǎo)體 2.5k 0

深度解析七大汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)

在車(chē)載鏡頭領(lǐng)域，舜宇光學(xué)（02382.HK）龍頭地位穩(wěn)固，其車(chē)載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開(kāi)較大差距。

2022-11-02 標(biāo)簽：mcu MOSFET IGBT 2.5k 0

深度解析熱敏電阻的熱管理

通過(guò)這一電路能夠?qū)?個(gè)散熱片進(jìn)行熱監(jiān)測(cè)。當(dāng)溫度高于85℃時(shí)，風(fēng)扇將被激活。在不利的環(huán)境條件下，溫度甚至能夠達(dá)到100℃，然后再進(jìn)行甩負(fù)荷。為完成這一操作...

2018-05-07 標(biāo)簽：熱敏電阻功率半導(dǎo)體 2.5k 0

二維材料給功率半導(dǎo)體帶來(lái)了什么？

9月15日，華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的翟天佑教授團(tuán)隊(duì)宣布，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)在二維高性能浮柵晶體管存儲(chǔ)器方面取得重要進(jìn)展。

2023-10-30 標(biāo)簽：多晶硅存儲(chǔ)器晶閘管 2.5k 0

一文詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 2.5k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

2024-11-05 標(biāo)簽：散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 2.4k 0

電動(dòng)汽車(chē)OBC分類(lèi)及其大功率PFC技術(shù)分析

高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校绕涫禽p負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn)，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其...

2023-09-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET 功率半導(dǎo)體 2.4k 0

常見(jiàn)的幾種功率半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

2023-09-15 標(biāo)簽：MOSFET 晶閘管 IGBT 2.4k 0

何謂功率半導(dǎo)體？

功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時(shí)也不會(huì)損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為...

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 2.3k 0

IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...

2023-02-22 標(biāo)簽：變頻器 IGBT 功率半導(dǎo)體 2.3k 0

功率半導(dǎo)體原理和功能介紹

功率半導(dǎo)體是一類(lèi)特殊的半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對(duì)功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹...

2024-01-09 標(biāo)簽：PN 開(kāi)關(guān)控制功率半導(dǎo)體 2.3k 0

淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類(lèi)似。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

功率半導(dǎo)體分析

功率半導(dǎo)體是對(duì)功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件，不但實(shí)施電能的存儲(chǔ)、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行，而且將能...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2.2k 0

IR宣布PQFN 4mm x 4mm封裝的推出

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）擴(kuò)展其封裝系列，推出PQFN 4mm x ...

2018-11-13 標(biāo)簽：封裝 IR 功率半導(dǎo)體 2.2k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
LT8705

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