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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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新潔能NCE65TF099:高頻開關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?
在當(dāng)今快速發(fā)展的電子技術(shù)領(lǐng)域,高頻開關(guān)性能已成為衡量功率器件性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。新潔能憑借其卓越的高頻開關(guān)性能,正在為各種產(chǎn)品應(yīng)用帶來前所未有的賦能與變...
2025-10-20 標(biāo)簽:MOS功率器件高頻開關(guān) 348 0
銀膠vs銀漿:一字之差,卻是電子焊接的“兩種技術(shù)路線”!
銀膠與銀漿是差異顯著的材料:銀膠是“銀粉+樹脂”的粘結(jié)型材料,靠低溫固化實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電與固定,適合LED封裝、柔性電子等熱敏低功率場景,設(shè)備簡單(點(diǎn)膠機(jī)+烘箱...
STEVAL-L99MH98評估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STEVAL-L99MH98評估板是一款低成本工具,設(shè)計(jì)用于評估L99MH98智能功率器件,采用VFQFN48L...
?STEVAL-L9026評估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STEVAL-L9026評估板設(shè)計(jì)用于評估采用先進(jìn)BCD技術(shù)打造的L9026智能功率器件。L9026是一款8通道I...
解決鍍金氮化鋁切割崩邊與分層難題,就選BJX-3352精密劃片機(jī)
在高端半導(dǎo)體封裝、功率器件以及微波射頻領(lǐng)域,鍍金氮化鋁基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、電絕緣性和穩(wěn)定的金屬化性能而備受青睞。然而,其“硬脆基材+軟質(zhì)鍍層”的復(fù)合結(jié)...
揭露半導(dǎo)體功率器件——PIM功率集成模塊,一文讀懂它的所有
前言在電力電子領(lǐng)域,高電壓、大電流場景對功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM(功率集成模塊)通過“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì),將...
從成本到性能,燒結(jié)銅緣何成為汽車電子行業(yè)新寵?
本文從微焊料廠家視角出發(fā),剖析了燒結(jié)銅受企業(yè)青睞的原因。在成本上,其價(jià)格遠(yuǎn)低于燒結(jié)銀,具有極大成本優(yōu)勢;性能方面,導(dǎo)電導(dǎo)熱性優(yōu)異,熱穩(wěn)定性和可靠性出色;...
面對電力電子應(yīng)用與日俱增的需求,高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案,借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢。工程師們常常面臨多方面...
上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹
在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天,對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十四)----熱成像儀測溫度概述
摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識和測試的基本技能,才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利...
2025-09-12 標(biāo)簽:功率器件熱成像儀熱設(shè)計(jì) 540 0
AOS新一代電源設(shè)計(jì):基于FRD MOSFET的高效、高可靠設(shè)計(jì)解決方案
“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo),長期主導(dǎo)著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時(shí)需關(guān)注的關(guān)鍵問題,并提出了一種優(yōu)...
2025-09-11 標(biāo)簽:電源電源設(shè)計(jì)功率器件 1.9萬 0
本文主要講述什么是晶圓級芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品,在個(gè)人計(jì)算...
在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEMT競爭最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間,其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...
IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容,全文155...
Texas Instruments UCC57108EVM評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments UCC57108EVM評估模塊是為評估UCC57108的功能而開發(fā)的。對于具有TO-220占位面積的電容性負(fù)載或功率...
氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能組合,已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性,為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了...
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