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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1910個(gè) 瀏覽：94240次 帖子：51個(gè)

      功率器件技術(shù)

      氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析

      氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析

      氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

      2023-02-05 標(biāo)簽：led晶體功率器件 1.1萬(wàn) 0

      開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

      　上世紀(jì)60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和...

      2014-09-28 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電磁兼容性功率器件 1.1萬(wàn) 0

      如何正確理解功率器件的FoM？

      如何正確理解功率器件的FoM？

      在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開(kāi)關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, ...

      2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFETFOM功率器件 1.1萬(wàn) 0

      為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

      砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...

      2023-07-03 標(biāo)簽：光電器件功率器件砷化鎵 1.0萬(wàn) 0

      氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及工作原理

      氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及工作原理

      　　氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

      2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.0萬(wàn) 0

      SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過(guò)人之處呢？

      SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過(guò)人之處呢？

      圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對(duì)...

      2018-06-09 標(biāo)簽：mosfet功率器件SiC 1.0萬(wàn) 0

      驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通及應(yīng)對(duì)方法

      驅(qū)動(dòng)電路中的誤開(kāi)通及應(yīng)對(duì)方法

      功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門(mén)極電壓控制的開(kāi)關(guān)。當(dāng)門(mén)極電壓大于開(kāi)通閾值時(shí)，功率器件就會(huì)被開(kāi)通；而當(dāng)門(mén)極電壓低于開(kāi)通閾值時(shí)，功率器...

      2022-11-29 標(biāo)簽：MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬(wàn) 0

      利用現(xiàn)有設(shè)計(jì)專知，強(qiáng)化功率模塊在汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用

      整合不僅有助于節(jié)省空間，而且還可以幫助降低成本，提高可靠性，加快新產(chǎn)品的上市進(jìn)程。有利的是，在家電行業(yè)中獲得的現(xiàn)有的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，可以幫助滿足這些要求。

      2017-08-31 標(biāo)簽：汽車(chē)電子電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 9.9k 0

      各種SiC功率器件的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)入迅速發(fā)展時(shí)期

      各種SiC功率器件的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)入迅速發(fā)展時(shí)期

      SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸，則功率器件的工作溫度將會(huì)提升到一個(gè)全新的高度。SiC材...

      2018-05-11 標(biāo)簽：功率器件sic 9.8k 0

      外延層的摻雜濃度對(duì)SiC功率器件的重要性

      控制外延層的摻雜類型和濃度對(duì) SiC 功率器件的性能至關(guān)重要，它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻，阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

      2022-04-11 標(biāo)簽：工藝功率器件SiC 9.8k 0

      三相三電平VIENNA PFC電路的控制方式

      三相三電平VIENNA PFC電路的控制方式

      三相三電平VIENNA PFC電路需要做到三個(gè)方面的控制。

      2023-03-23 標(biāo)簽：PFC功率器件PFC電路 9.8k 0

      什么叫鋁基板 鋁基板制作的工藝流程是什么

      什么叫鋁基板 鋁基板制作的工藝流程是什么

      功率器件表面貼裝在電路層，器件運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的熱量通過(guò)絕緣層快速傳導(dǎo)到金屬基層，然后由金屬基層將熱量傳遞出去，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)器件的散熱（請(qǐng)見(jiàn)圖2）。

      2023-08-02 標(biāo)簽：pcb功率器件印制線路板 9.7k 0

      電子假負(fù)載電路原理

      電子假負(fù)載電路原理

      電子假負(fù)載的功率器件，一般選用所需控制功率小的場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT管、選用時(shí)一定要有超過(guò)滿載時(shí)的功率余量，避免使用中燒毀；電子假負(fù)載工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量，...

      2019-10-22 標(biāo)簽：假負(fù)載功率器件 9.6k 0

      一個(gè)用開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)方式控制電能的方案設(shè)計(jì)

      一個(gè)用開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)方式控制電能的方案設(shè)計(jì)

      準(zhǔn)諧振變換器出現(xiàn)在上世紀(jì)80年代中期，包括零電流開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振(ZCS QRC) 和零電壓開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振(ZVS QRC) 。這兩種電路雖然使主開(kāi)關(guān)管在零電壓或...

      2017-11-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管變換器功率器件 9.6k 0

      高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大？

      首先，讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...

      2022-04-27 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件 9.5k 0

      功率器件介紹、市場(chǎng)概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析，您想了解的都在這里了

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      變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中， 如供電電路中的電壓波動(dòng)整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度，后者 在變頻空調(diào)、...

      2023-11-30 標(biāo)簽：IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 9.4k 0

      碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

      　　碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見(jiàn)，主要通過(guò)人工合...

      2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 9.4k 0

      溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

      在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

      2022-10-27 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 9.4k 0

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)二極管和三極管

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)二極管和三極管

      二極管：將PN結(jié)用外殼封裝起來(lái)，并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管（P區(qū)引出的電極為陽(yáng)極，N區(qū)引出的極為陰極）。

      2023-11-06 標(biāo)簽：三極管二極管PN結(jié) 9.2k 0

      如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

      如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

      本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過(guò)程中，它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

      2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 9.2k 0

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      • 工業(yè)4.0
        工業(yè)4.0
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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車(chē)服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車(chē)去向，更有效地管理交通……
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開(kāi)發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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