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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
電源作為系統(tǒng)應(yīng)用中給其他功能供電的模塊,有著十分重要的地位。在電源設(shè)計(jì)中,好的PCB設(shè)計(jì)能夠 優(yōu)化電源效率,緩解散熱壓力以及降低噪聲 ,保證電源的輸出準(zhǔn)...
2023-06-27 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)噪聲BUCK 6k 0
隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
電路可靠性設(shè)計(jì)之降額參數(shù)及降額因子
1級降額,最大的降額,適用于: a.失效將導(dǎo)致人員傷亡或設(shè)備及保護(hù)措施的嚴(yán)重破壞; b.高可靠性要求的設(shè)備卻采用了新技術(shù)新工藝; c.設(shè)備失效不能維修;...
2023-10-12 標(biāo)簽:集成電路電阻運(yùn)算放大器 5.9k 0
英飛凌無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)介紹
無磁芯變壓器是新一代的驅(qū)動技術(shù),基于英飛凌領(lǐng)先的功率器件設(shè)計(jì)和應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn),具有高共模瞬變抗擾度、精密時序控制、精確的短路保護(hù)、高電壓并可靠的輸出推挽MO...
2022-04-18 標(biāo)簽:英飛凌功率器件隔離驅(qū)動芯片 5.8k 1
鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...
創(chuàng)建可以緩解密勒效應(yīng)寄生導(dǎo)通的柵極負(fù)電壓驅(qū)動器并不一定很復(fù)雜。許多現(xiàn)有的單極性工作的柵極驅(qū)動器,借助很少的外部電路就可以輕松驅(qū)動?xùn)艠O負(fù)電壓。
一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法, 使用時使流過負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過電流互感器, 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異,...
eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
本章對采用eGaN FET原型設(shè)計(jì)的全穩(wěn)壓半磚式供電設(shè)備轉(zhuǎn)換器與類似的MOSFET轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了比較。與可比的先進(jìn)商用轉(zhuǎn)換器相比,eGaN FET原型工作...
2013-01-22 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件eGaN FET 5.6k 1
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...
功率元器件應(yīng)用秘訣,采用專用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達(dá)到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸,...
功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...
SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...
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