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標簽 > 功率級
聲功率級與基準聲功率之比的以10為底的對數(shù)乘以10,以分貝計,是指有用訊號功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個概念,設(shè)備自身產(chǎn)生的與輸入信號無關(guān)的無規(guī)則信號。
聲功率級與基準聲功率之比的以10為底的對數(shù)乘以10,以分貝計,是指有用訊號功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個概念,設(shè)備自身產(chǎn)生的與輸入信號無關(guān)的無規(guī)則信號。
?基于STM32G474的數(shù)字電源控制板設(shè)計解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STEVAL-DPSG474Q數(shù)字電源控制盤基于STM32G4系列的STM32G474QE微控制器。STEVAL-...
2025-10-15 標簽:微控制器數(shù)字電源控制功率級 272 0
基于DRV8316的三相無刷直流電機驅(qū)動技術(shù)解析
Texas Instruments DRV8316/DRV8316-Q1三相集成FET電機驅(qū)動器是一款單芯片功率級解決方案,專為驅(qū)動12V無刷直流電機而...
CSD95420RCB同步降壓NexFET?智能功率級技術(shù)解析
Texas Instruments CSD95420RCB降壓NexFET?功率級經(jīng)過高度優(yōu)化,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動器器件...
2025-09-03 標簽:同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級NexFET 462 0
?TI CSD96416同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動器I...
2025-08-28 標簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級 456 0
CSD95411同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95411同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件集成了驅(qū)動器I...
2025-08-28 標簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級 466 0
CSD96415RWJ同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析
Texas Instruments CSD96415同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動器I...
2025-08-27 標簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級 393 0
Texas Instruments CSD95430同步降壓NexFET?功率級技術(shù)解析
Texas Instruments CSD95430同步降壓式NexFET?功率級是一款經(jīng)高度優(yōu)化的設(shè)計,用于大功率、高密度同步降壓式轉(zhuǎn)換器。該器件集成...
2025-08-27 標簽:降壓轉(zhuǎn)換器同步降壓功率級 431 0
CSD95410 NexFET?智能功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95410 NexFET? 智能功率級是一種高度優(yōu)化的設(shè)計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)...
2025-08-12 標簽:MOSFET高功率同步降壓轉(zhuǎn)換器 591 0
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強模式...
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶...
2025-07-25 標簽:氮化鎵功率級開關(guān)模式電源 3.8k 0
類別:電子資料 2024-08-28 標簽:開關(guān)電源控制電路功率級
本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析,包括器件設(shè)計、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶...
飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出功率級非對稱雙MOSFET模塊FDMS36xxS
為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
2011-06-15 標簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET功率級 1.9k 0
這篇文章描述了一個用於液晶電視的200W 電源的設(shè)計與構(gòu)造,所以提到了很多注意事項,以達到高效率,待機功率低於1W,外形小巧尤其是高度為25mm ,無風(fēng)...
2011-04-22 標簽:開關(guān)電源200W功率級 3.0萬 4
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