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標簽 > 功率級
聲功率級與基準聲功率之比的以10為底的對數(shù)乘以10,以分貝計,是指有用訊號功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個概念,設(shè)備自身產(chǎn)生的與輸入信號無關(guān)的無規(guī)則信號。
聲功率級與基準聲功率之比的以10為底的對數(shù)乘以10,以分貝計,是指有用訊號功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個概念,設(shè)備自身產(chǎn)生的與輸入信號無關(guān)的無規(guī)則信號。
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶...
2025-07-25 標簽:氮化鎵功率級開關(guān)模式電源 3.8k 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級,使用增強型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
UC1875 系列集成電路通過對一個半橋相對于另一個半橋的開關(guān)進行相移來實現(xiàn)對橋式功率級的控制,從而允許恒定頻率脈寬調(diào)制與諧振、零電壓開關(guān)相結(jié)合,從而在...
2025-04-08 標簽:集成電路電流模式零電壓開關(guān) 759 0
UC2879 增強型雙極相移全橋控制器,具有可選的 UVLO數(shù)據(jù)手冊
UC3879 通過對一個半橋相對于另一個半橋的開關(guān)進行相移來控制橋式功率級。這允許恒定頻率脈寬調(diào)制與諧振、零電壓開關(guān)相結(jié)合,以實現(xiàn)高效率性能。UC387...
2025-04-08 標簽:電流脈寬調(diào)制零電壓 752 0
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強模式...
CSD95410 NexFET?智能功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95410 NexFET? 智能功率級是一種高度優(yōu)化的設(shè)計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)...
2025-08-12 標簽:MOSFET高功率同步降壓轉(zhuǎn)換器 592 0
Analog Devices Inc. LTC7051-1 SilentMOS智能功率級數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LTC7051-1 SilentMOS智能功率級在電氣和熱優(yōu)化的LQFN封裝中集成有高速驅(qū)動器和低電阻半橋電源開...
2025-06-18 標簽:電源開關(guān)Analog功率級 540 0
Analog Devices / Maxim Integrated MAX20846智能功率級IC數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices/Maxim Integrated MAX20846智能功率級IC設(shè)計用于與控制器搭配使用,實現(xiàn)高密度多相穩(wěn)壓器。這些IC...
CSD95420RCB同步降壓NexFET?智能功率級技術(shù)解析
Texas Instruments CSD95420RCB降壓NexFET?功率級經(jīng)過高度優(yōu)化,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動器器件...
2025-09-03 標簽:同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級NexFET 467 0
類別:電子資料 2024-08-28 標簽:開關(guān)電源控制電路功率級
這篇文章描述了一個用於液晶電視的200W 電源的設(shè)計與構(gòu)造,所以提到了很多注意事項,以達到高效率,待機功率低於1W,外形小巧尤其是高度為25mm ,無風(fēng)...
2011-04-22 標簽:開關(guān)電源200W功率級 3.0萬 4
本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析,包括器件設(shè)計、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶...
飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出功率級非對稱雙MOSFET模塊FDMS36xxS
為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
2011-06-15 標簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET功率級 1.9k 0
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