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標(biāo)簽 > 功率級(jí)
聲功率級(jí)與基準(zhǔn)聲功率之比的以10為底的對(duì)數(shù)乘以10,以分貝計(jì),是指有用訊號(hào)功率與無用的噪聲功率之比,衡量放大器噪音大小也可以用噪聲電平這個(gè)概念,設(shè)備自身產(chǎn)生的與輸入信號(hào)無關(guān)的無規(guī)則信號(hào)。
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Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶...
2025-07-25 標(biāo)簽:氮化鎵功率級(jí)開關(guān)模式電源 3.8k 0
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),使用增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80...
2025-02-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 869 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個(gè) ...
2025-02-21 標(biāo)簽:FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 863 0
UC2879 增強(qiáng)型雙極相移全橋控制器,具有可選的 UVLO數(shù)據(jù)手冊
UC3879 通過對(duì)一個(gè)半橋相對(duì)于另一個(gè)半橋的開關(guān)進(jìn)行相移來控制橋式功率級(jí)。這允許恒定頻率脈寬調(diào)制與諧振、零電壓開關(guān)相結(jié)合,以實(shí)現(xiàn)高效率性能。UC387...
2025-04-08 標(biāo)簽:電流脈寬調(diào)制零電壓 764 0
UC1875 系列集成電路通過對(duì)一個(gè)半橋相對(duì)于另一個(gè)半橋的開關(guān)進(jìn)行相移來實(shí)現(xiàn)對(duì)橋式功率級(jí)的控制,從而允許恒定頻率脈寬調(diào)制與諧振、零電壓開關(guān)相結(jié)合,從而在...
2025-04-08 標(biāo)簽:集成電路電流模式零電壓開關(guān) 762 0
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級(jí),集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)模式...
CSD95410 NexFET?智能功率級(jí)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95410 NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)...
2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET高功率同步降壓轉(zhuǎn)換器 606 0
Analog Devices Inc. LTC7051-1 SilentMOS智能功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LTC7051-1 SilentMOS智能功率級(jí)在電氣和熱優(yōu)化的LQFN封裝中集成有高速驅(qū)動(dòng)器和低電阻半橋電源開...
2025-06-18 標(biāo)簽:電源開關(guān)Analog功率級(jí) 542 0
Analog Devices / Maxim Integrated MAX20846智能功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices/Maxim Integrated MAX20846智能功率級(jí)IC設(shè)計(jì)用于與控制器搭配使用,實(shí)現(xiàn)高密度多相穩(wěn)壓器。這些IC...
CSD95411同步降壓NexFET?功率級(jí)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD95411同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件集成了驅(qū)動(dòng)器I...
2025-08-28 標(biāo)簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí) 486 0
基于DRV8316的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析
Texas Instruments DRV8316/DRV8316-Q1三相集成FET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一款單芯片功率級(jí)解決方案,專為驅(qū)動(dòng)12V無刷直流電機(jī)而...
2025-09-15 標(biāo)簽:三相FET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 481 0
CSD95420RCB同步降壓NexFET?智能功率級(jí)技術(shù)解析
Texas Instruments CSD95420RCB降壓NexFET?功率級(jí)經(jīng)過高度優(yōu)化,用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器器件...
2025-09-03 標(biāo)簽:同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí)NexFET 470 0
?TI CSD96416同步降壓NexFET?功率級(jí)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器I...
2025-08-28 標(biāo)簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí) 460 0
Texas Instruments CSD95430同步降壓NexFET?功率級(jí)技術(shù)解析
Texas Instruments CSD95430同步降壓式NexFET?功率級(jí)是一款經(jīng)高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于大功率、高密度同步降壓式轉(zhuǎn)換器。該器件集成...
2025-08-27 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器同步降壓功率級(jí) 436 0
CSD96415RWJ同步降壓NexFET?功率級(jí)技術(shù)解析
Texas Instruments CSD96415同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器I...
2025-08-27 標(biāo)簽:同步降壓同步降壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí) 396 0
Texas Instruments LMG3100EVM-089評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3100EVM-089評(píng)估模塊是一款結(jié)構(gòu)緊湊、易于使用的功率級(jí),具有外部PWM信號(hào)。電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、...
2025-07-25 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊功率級(jí) 383 0
?基于STM32G474的數(shù)字電源控制板設(shè)計(jì)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STEVAL-DPSG474Q數(shù)字電源控制盤基于STM32G4系列的STM32G474QE微控制器。STEVAL-...
2025-10-15 標(biāo)簽:微控制器數(shù)字電源控制功率級(jí) 302 0
STSPIN958可擴(kuò)展全橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用設(shè)計(jì)
STMicroelectronics STSPIN958可擴(kuò)展全橋驅(qū)動(dòng)器是一款具有高動(dòng)態(tài)性能功率級(jí)的5A器件,支持用戶通過精確占空比實(shí)現(xiàn)高頻PWM控制。...
2025-10-24 標(biāo)簽:PWM控制全橋驅(qū)動(dòng)器功率級(jí) 92 0
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