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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C（U3）I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。
半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C（U3）I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。
分類
晶體二極管
晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè) PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊）接電源的正極而另一端接負(fù)極時(shí)，空穴和電子都向偶極層流動(dòng)而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過(guò)來(lái)接，則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)（稱反向飽和電流）。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開(kāi)關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管，以及沒(méi)有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。
雙極型晶體管
它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，其中一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個(gè)稱為集電結(jié)。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏置。通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里，這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)？。在共發(fā)射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管
它依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏?？刂茩M向電場(chǎng)的電極稱為柵。
根據(jù)柵的結(jié)構(gòu)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種：
?、俳Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（用PN結(jié)構(gòu)成柵極）；
?、贛OS場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極，見(jiàn)金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）；
?、跰ES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用最廣泛。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中，MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。
在MOS器件的基礎(chǔ)上，又發(fā)展出一種電荷耦合器件 （CCD），它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息，控制表面附近的勢(shì)阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲(chǔ)器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過(guò)精確控制的物理化學(xué)過(guò)程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技...
2025-10-09 標(biāo)簽：芯片制造半導(dǎo)體器件 192 0
電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映...
2025-09-29 標(biāo)簽：測(cè)試電阻率半導(dǎo)體器件 274 0
MOS管的典型應(yīng)用場(chǎng)景與技術(shù)實(shí)踐
MOS 管作為電壓控制型半導(dǎo)體器件，憑借輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、功耗低等特性，已成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可或缺的核心元件。從微型傳感器到大型電力設(shè)備，其應(yīng)用...
2025-09-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管半導(dǎo)體器件 343 0
高壓二極管應(yīng)用中，是否有足夠銅箔/散熱片，結(jié)溫是否接近極限？
在半導(dǎo)體器件的可靠性設(shè)計(jì)中，溫度始終是一個(gè)繞不開(kāi)的話題。無(wú)論是功率二極管、TVS管還是高壓二極管，其壽命與結(jié)溫（Tj）有著直接關(guān)系?？蛻舫３?huì)問(wèn)：我的電...
2025-09-17 標(biāo)簽：散熱高壓二極管半導(dǎo)體器件 261 0
薄膜測(cè)厚選臺(tái)階儀還是橢偏儀？針對(duì)不同厚度范圍提供技術(shù)選型指南
在現(xiàn)代工業(yè)與科研中，薄膜厚度是決定材料腐蝕性能、半導(dǎo)體器件特性以及光學(xué)與電學(xué)性質(zhì)的關(guān)鍵參數(shù)。精準(zhǔn)測(cè)量此參數(shù)對(duì)于工藝優(yōu)化、功能材料理解及反向工程都至關(guān)重要...
2025-08-29 標(biāo)簽：薄膜半導(dǎo)體器件測(cè)厚 2.1k 0
釣魚(yú)打窩船總掉鏈？仁懋?TOLL?封裝?“芯”?方案
對(duì)釣魚(yú)人來(lái)說(shuō)，打窩船是“精準(zhǔn)喂魚(yú)”的關(guān)鍵幫手，但控制器里的半導(dǎo)體器件一旦“掉鏈”，輕則錯(cuò)過(guò)魚(yú)口，重則船漂丟、設(shè)備壞。而仁懋TOLL封裝產(chǎn)品，正是為破解打...
2025-08-29 標(biāo)簽：封裝半導(dǎo)體器件仁懋電子 699 0
微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多...
2025-08-27 標(biāo)簽：光電器件GaN半導(dǎo)體器件 432 0
?TL7726 HEX CLAMPING CIRCUITS 技術(shù)文檔總結(jié)
TL7726 由六個(gè)相同的箝位電路組成，用于監(jiān)控輸入電壓相對(duì)于參考值 REF。對(duì)于輸入電壓 （V ~我~ ）在GND到<REF范圍內(nèi)，箝位電路對(duì)地...
在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域，失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié)，F(xiàn)IB（聚焦離子束）截面分析，作為失效分析的利器，在微觀世界里大顯身手。它運(yùn)用離子束精準(zhǔn)切割樣...
2025-08-15 標(biāo)簽：失效分析fib半導(dǎo)體器件 497 0
汽車電子領(lǐng)域中光電半導(dǎo)體器件的高溫高濕試驗(yàn)研究
在汽車電子領(lǐng)域，光電半導(dǎo)體器件的可靠性是保障汽車行駛安全與穩(wěn)定的關(guān)鍵因素。AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)作為汽車用分立光電半導(dǎo)體元器件的可靠性測(cè)試規(guī)范，其中的高溫...
2025-06-30 標(biāo)簽：汽車電子光電半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 338 0
Keysight B1500A半導(dǎo)體器件分析儀自學(xué)培訓(xùn)教程立即下載
類別：電子資料 2024-12-17 標(biāo)簽：分析儀半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件測(cè)量?jī)x及應(yīng)用立即下載
類別：IC中文資料 2024-06-27 標(biāo)簽：發(fā)生器測(cè)量?jī)x晶體二極管
類別：電子資料 2023-11-20 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體器件
開(kāi)關(guān)電源發(fā)展過(guò)程中的十個(gè)焦點(diǎn)技術(shù)立即下載
類別：電子資料 2023-11-14 標(biāo)簽：電源開(kāi)關(guān)電源IGBT
類別：電子資料 2022-10-10 標(biāo)簽：SMD半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件物理(原書(shū)第三版)中文版立即下載
類別：課件下載 2022-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件
類別：電子教材 2021-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件
類別：實(shí)用工具 2021-10-21 標(biāo)簽：電源開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體器件
Moku:Delta開(kāi)放樣機(jī)試用！助力加速半導(dǎo)體器件測(cè)試驗(yàn)證流程
半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展，IC測(cè)試與驗(yàn)證的復(fù)雜性不斷增加。如今被測(cè)設(shè)備（DUT）涉及模擬、數(shù)字和混合信號(hào)領(lǐng)域，高度集成ADC/DAC、運(yùn)放、控制環(huán)路和DSP等...
2025-10-10 標(biāo)簽：測(cè)試半導(dǎo)體器件DUT 117 0
作為一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌?、反向恢?fù)時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小，因此廣泛應(yīng)用在變頻器、開(kāi)關(guān)電源、模塊電源、驅(qū)動(dòng)電路等場(chǎng)合。您值...
2025-09-10 標(biāo)簽：電子元器件肖特基二極管半導(dǎo)體器件 270 0
“深化中國(guó)戰(zhàn)略，探索協(xié)同發(fā)展”SPEA代表團(tuán)訪問(wèn)芯派科技
SPEANews在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，SPEA作為全球領(lǐng)先自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備廠商堅(jiān)定不移地扎根中國(guó)市場(chǎng)，精準(zhǔn)地響應(yīng)中國(guó)客戶需求，持續(xù)深化與本土...
2025-09-09 標(biāo)簽：自動(dòng)化測(cè)試半導(dǎo)體器件芯派科技 729 0
第十三屆第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班暨國(guó)際功率半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用臨港高峰論壇報(bào)名（論壇免費(fèi)
01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位：英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨港電力電子研究院、中國(guó)電源學(xué)會(huì)教育與培訓(xùn)工作委員會(huì)02...
2025-09-06 標(biāo)簽：電源功率器件半導(dǎo)體器件 330 0
半導(dǎo)體器件CV特性/CV特性測(cè)試的定義、測(cè)試分析和應(yīng)用場(chǎng)景
一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是...
2025-09-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件 502 0
突破邊界：先進(jìn)封裝時(shí)代下光學(xué)檢測(cè)技術(shù)的創(chuàng)新演進(jìn)
隨著半導(dǎo)體器件向更精密的封裝方案持續(xù)演進(jìn)，傳統(tǒng)光學(xué)檢測(cè)技術(shù)正逐漸觸及物理與計(jì)算的雙重邊界。對(duì)2.5D/3D集成、混合鍵合及晶圓級(jí)工藝的依賴日益加深，使得...
2025-08-19 標(biāo)簽：封裝光學(xué)檢測(cè)半導(dǎo)體器件 561 0
XBLW芯伯樂(lè)受邀出席深圳市電子商會(huì)第六屆理事會(huì)第七次會(huì)議，共話電子產(chǎn)業(yè)新未來(lái)
7月25日，深圳市電子商會(huì)第六屆理事會(huì)第七次會(huì)議暨2025電子信息產(chǎn)業(yè)交流對(duì)接會(huì)在深圳?華強(qiáng)科技生態(tài)園勝利召開(kāi)。深圳市芯伯樂(lè)電子有限公司作為商會(huì)理事單位...
2025-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件智能制造 650 0
是德示波器在半導(dǎo)體器件測(cè)試中的應(yīng)用
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器...
2025-07-25 標(biāo)簽：示波器半導(dǎo)體器件 498 0
“AI+”推動(dòng)，我國(guó)半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造利潤(rùn)大增105.1%！
5月27日，國(guó)家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布2025年1—4月份全國(guó)規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)利潤(rùn)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示，1—4月份，全國(guó)規(guī)上工業(yè)企業(yè)實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額21170.2億元，同比增...
2025-05-30 標(biāo)簽：AI半導(dǎo)體器件 253 0
SC2020半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng) 晶體管參數(shù)檢測(cè)設(shè)備技術(shù)解析
C2020晶體管測(cè)試系統(tǒng)是專為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導(dǎo)體分立器件?設(shè)計(jì)的?電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備?，集成實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量精度（±0.1%）與...
2025-03-13 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體器件 676 0
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