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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開(kāi)關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開(kāi)關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
二極管接反了會(huì)短路嗎 發(fā)光二極管正負(fù)極接反會(huì)怎樣
二極管接反會(huì)發(fā)生什么? 二極管是一種半導(dǎo)體器件,常用于電子電路中實(shí)現(xiàn)整流、開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓等功能。在正常工作條件下,二極管是一個(gè)單向?qū)ㄆ骷?,只允許電流從正極...
晶閘管是怎樣進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷的?晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷的條件
晶閘管(SCR)是一種四層三端半導(dǎo)體器件,具有陽(yáng)極、陰極和門(mén)極三個(gè)端子。
2024-05-24 標(biāo)簽:晶閘管SCR半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
鍺二極管常見(jiàn)型號(hào) 如何判斷二極管是鍺管還是硅管
鍺二極管(Germanium diode)的死區(qū)電壓約為0.2V至0.3V之間。在低電壓下,鍺二極管會(huì)呈現(xiàn)較高的電流流動(dòng)特性,但一旦電壓超過(guò)了死區(qū)電壓,...
2023-07-04 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體器件鍺二極管 1.1萬(wàn) 0
MOSFET知識(shí)點(diǎn)全集,初級(jí)工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMO...
2017-09-13 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
基本原理是:在金屬和N型硅片的接觸面上,用金屬與半導(dǎo)體接觸所形成的勢(shì)壘對(duì)電流進(jìn)行控制。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V...
2019-06-14 標(biāo)簽:肖特基二極管伏安特性半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
半導(dǎo)體器件失效分析_半導(dǎo)體器件芯片焊接技巧及控制
本文首先介紹了芯片焊接(粘貼)技巧及機(jī)理,其次介紹了失效模式分析,最后介紹了焊接質(zhì)量的三種檢驗(yàn)技巧以及焊接不良原因及對(duì)應(yīng)措施,具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。
2018-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
單結(jié)晶體管的工作原理/特點(diǎn)/應(yīng)用領(lǐng)域/等效電路
單結(jié)晶體管是一種 3 端子半導(dǎo)體器件,與 BJT 不同,它只有一個(gè) pn 結(jié)。它基本上設(shè)計(jì)用作單級(jí)振蕩器電路,用于生成適合數(shù)字電路應(yīng)用的脈沖信號(hào)。
2023-06-03 標(biāo)簽:單結(jié)晶體管等效電路半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu),常用于制造半導(dǎo)體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...
場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極分別是什么
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中,用于放大、開(kāi)關(guān)、調(diào)節(jié)等功能。場(chǎng)效應(yīng)管的工作...
2024-07-14 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電極電子電路 9.9k 0
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...
2022-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅 9.9k 0
電力電子器件應(yīng)用的共性--驅(qū)動(dòng)、保護(hù)、串并聯(lián)的重要意義
談到功率半導(dǎo)體器件,出來(lái)不可控的,其他的應(yīng)該都涉及到主動(dòng)開(kāi)關(guān)吧,那怎么開(kāi)怎么關(guān)呢?這就是驅(qū)動(dòng),電力電子主電路與控制電路之間的接口。良好的驅(qū)動(dòng)電路使電力電...
2019-07-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體器件 9.9k 0
眾所周知,晶閘管的應(yīng)用十分廣泛,晶閘管是一種非常精密的半導(dǎo)體器件。在使用過(guò)程中,我們必須在其指定的范圍內(nèi)才能獲得所需要的輸出,但是由于過(guò)電壓、過(guò)電流等原...
2023-02-10 標(biāo)簽:電流晶閘管半導(dǎo)體器件 9.8k 0
三極管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和電路中。在實(shí)際應(yīng)用中,我們常常會(huì)遇到三極管溫度與Vbe之間的關(guān)系。本文將詳細(xì)討論這兩者之間的關(guān)系,并分...
在日常的電源設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制,以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì) 9.6k 0
可控硅調(diào)光和0-10v調(diào)光的區(qū)別
可控硅調(diào)光和0-10V調(diào)光是兩種不同的照明調(diào)光方式。雖然它們都用于調(diào)節(jié)燈光的亮度,但在原理、特點(diǎn)和適用范圍上有一些明顯的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹這兩種調(diào)光方...
2024-02-02 標(biāo)簽:可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電源半導(dǎo)體器件 9.6k 0
首先,讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...
2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 9.5k 0
二極管的結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用及檢測(cè)方法
二極管是一種半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦裕捎谄渚哂辛己玫恼魈匦?,被廣泛應(yīng)用于電子電路中。二極管的英文名為Diode,是由兩個(gè)不同材料的P型半導(dǎo)體和N型...
2023-06-02 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體器件 9.4k 0
igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件,它的特點(diǎn)是結(jié)合了MO...
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