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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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Moku:Delta開放樣機試用!助力加速半導體器件測試驗證流程
半導體技術飛速發(fā)展,IC測試與驗證的復雜性不斷增加。如今被測設備(DUT)涉及模擬、數(shù)字和混合信號領域,高度集成ADC/DAC、運放、控制環(huán)路和DSP等...
“深化中國戰(zhàn)略,探索協(xié)同發(fā)展”SPEA代表團訪問芯派科技
SPEANews在全球半導體產業(yè)競爭日益激烈的當下,SPEA作為全球領先自動化測試設備廠商堅定不移地扎根中國市場,精準地響應中國客戶需求,持續(xù)深化與本土...
第十三屆第三代半導體器件技術與應用高級研修班暨國際功率半導體技術與應用臨港高峰論壇報名(論壇免費
01組織機構主辦單位:中國電源學會承辦單位:英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨港電力電子研究院、中國電源學會教育與培訓工作委員會02...
一、基本概念 CV特性 (電容-電壓特性)是指半導體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律,主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是...
2025-09-01 標簽:半導體器件 503 0
突破邊界:先進封裝時代下光學檢測技術的創(chuàng)新演進
隨著半導體器件向更精密的封裝方案持續(xù)演進,傳統(tǒng)光學檢測技術正逐漸觸及物理與計算的雙重邊界。對2.5D/3D集成、混合鍵合及晶圓級工藝的依賴日益加深,使得...
XBLW芯伯樂受邀出席深圳市電子商會第六屆理事會第七次會議,共話電子產業(yè)新未來
7月25日,深圳市電子商會第六屆理事會第七次會議暨2025電子信息產業(yè)交流對接會在深圳?華強科技生態(tài)園勝利召開。深圳市芯伯樂電子有限公司作為商會理事單位...
半導體產業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石,其技術的發(fā)展日新月異。半導體器件從設計到生產,每個環(huán)節(jié)都對測試設備的精度、效率提出了嚴苛要求。示波器作為關鍵的測試測量儀器...
“AI+”推動,我國半導體器件專用設備制造利潤大增105.1%!
5月27日,國家統(tǒng)計局發(fā)布2025年1—4月份全國規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)利潤數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示,1—4月份,全國規(guī)上工業(yè)企業(yè)實現(xiàn)利潤總額21170.2億元,同比增...
SC2020半導體器件測試系統(tǒng) 晶體管參數(shù)檢測設備技術解析
C2020晶體管測試系統(tǒng)是專為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導體分立器件?設計的?電學參數(shù)測試設備?,集成實驗室級測量精度(±0.1%)與...
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件...
在現(xiàn)代電子技術中,二極管和晶體管是兩種不可或缺的半導體器件。它們在電路設計中有著廣泛的應用,從簡單的信號處理到復雜的集成電路。 二極管 二極管是一種兩端...
在現(xiàn)代電子技術中,高頻二極管扮演著至關重要的角色。它們不僅在通信、雷達、衛(wèi)星等領域有著廣泛的應用,還在消費電子產品中發(fā)揮著不可或缺的作用。 1. 高頻二...
在電子電路中,二極管是一種基本的半導體器件,用于整流、穩(wěn)壓、信號調制等多種應用。二極管的反向恢復時間是衡量其在高頻開關應用中性能的關鍵參數(shù)。 一、反向恢...
二極管是一種半導體器件,其主要特性是單向導電性,即只允許電流從正極流向負極,而不允許從負極流向正極。以下是一些常見的二極管類型及其參數(shù)的簡要介紹: 1....
1. 碳化硅的合成方法 碳化硅的合成方法主要有以下幾種: 直接合成法 :通過在高溫下將硅和碳直接反應生成碳化硅。 化學氣相沉積(CVD) :利用氣體反應...
2025中國電機智造與創(chuàng)新應用暨電機產業(yè)鏈交流會(春季)
2025中國電機智造與創(chuàng)新應用暨電機產業(yè)鏈交流會(春季) 時間:2025年 3月27日 主辦單位:Big-Bit商務網(wǎng) 承辦單位:《半導體器件應用》雜志...
整流二極管是一種用于將交流電(AC)轉換為直流電(DC)的半導體器件。在這篇文章中,我們將探討整流二極管的電壓范圍,以及影響其性能的各種因素。 1. 整...
BJT與其他半導體器件的區(qū)別 1. 結構差異 BJT結構: BJT是一種雙極型半導體器件,它由兩個PN結組成,分為NPN和PNP兩種類型。BJT由發(fā)射極...
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