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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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季豐電子獲得ISO/IEC 17025 資質(zhì)認(rèn)定
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)ISO/IEC 17025:2017 《檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力得通用要求》,審核機(jī)構(gòu)經(jīng)過2022/7/7,2022/8/2~2022/8/3,兩次...
2022-09-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件儀器設(shè)備季豐電子 3.1k 0
當(dāng)幾個(gè)納米(nm,十億分之一米)單位大的絕緣體區(qū)域轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賲^(qū)域時(shí),就會(huì)發(fā)生金屬-絕緣體相變。而關(guān)鍵是降低施加在器件上的電壓的大小,以提高半導(dǎo)體器件的開關(guān)效率。
2022-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件絕緣體 1.1k 0
DIP是英文DoubleIn-linePackage的縮寫,即雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最...
2022-09-20 標(biāo)簽:電子元器件封裝半導(dǎo)體器件 4.3k 0
寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義
長期以來,硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始,由于摩爾定律的失敗,復(fù)合材料被開發(fā)出來,特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體,因?yàn)樗鼈兝昧酥匾?..
2022-09-11 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 981 0
一個(gè)全新的建模(MG)環(huán)境提高整個(gè)工作流程的自動(dòng)化程度
半導(dǎo)體器件建模工程師需要依靠自動(dòng)化工具來創(chuàng)建準(zhǔn)確的仿真模型和工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以便在硅(CMOS)技術(shù)和三五族化合物技術(shù)的基礎(chǔ)之上打造基帶和射頻(...
2022-08-31 標(biāo)簽:集成電路CMOS半導(dǎo)體器件 1.3k 0
淺談FHP120N08B型號(hào)參數(shù)使用于功率開關(guān)中
在具體的應(yīng)用中,飛虹電子還可依據(jù)功率開關(guān)廠商的不同電源產(chǎn)品定制對(duì)應(yīng)的MOS管產(chǎn)品使用方案。
2022-08-09 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管半導(dǎo)體器件 2.4k 0
榮湃最新推出半橋驅(qū)動(dòng)芯片—Pai8131A
Pai8131A是榮湃最新推出的一款半橋驅(qū)動(dòng)芯片。該芯片采用榮湃特有的iDivider技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)相互獨(dú)立的控制輸出。
2022-08-03 標(biāo)簽:電源電壓驅(qū)動(dòng)芯片半導(dǎo)體器件 2.7k 0
概倫電子DTCO流程加速工藝開發(fā)和設(shè)計(jì)迭代
2022 中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇在廣州南沙召開。概倫電子董事兼總裁楊廉峰博士受邀出席產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作論壇并致《聯(lián)動(dòng)IC設(shè)計(jì)與制造,推動(dòng)EDA生態(tài)建設(shè)》...
2022-06-28 標(biāo)簽:芯片eda半導(dǎo)體器件 2.9k 0
佳能將于2022年8月初發(fā)售KrF?※1半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-6300ES6a”的“Grade10”產(chǎn)能升級(jí)配件包(以下簡稱“Grade10”升級(jí)包)。...
2022-06-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體佳能半導(dǎo)體器件 4.9k 0
概倫電子提取平臺(tái)SDEP?助力三星代工廠設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)快速迭代
概倫電子(股票代碼:688206.SH)宣布其智能半導(dǎo)體器件模型自動(dòng)化提取平臺(tái)SDEP?被三星代工廠所采用,幫助三星代工廠及其客戶縮短SPICE模型開發(fā)...
2022-06-09 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體器件概倫電子 1.8k 0
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (...
2022-05-23 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件Nexperia 4k 0
Nexperia公布2021年?duì)I收數(shù)據(jù)
奈梅亨,2022年5月6日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日公布2021年財(cái)務(wù)業(yè)績,數(shù)據(jù)顯示公司在所有領(lǐng)域均實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長。這家半導(dǎo)...
2022-05-06 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)半導(dǎo)體器件Nexperia 2.1k 0
博世成為車用MEMS領(lǐng)域市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者
20世紀(jì)50年代,在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,博世決定從最初的設(shè)計(jì)開始,自主研發(fā)車用半導(dǎo)體元件。
2022-04-24 標(biāo)簽:芯片mems半導(dǎo)體器件 2.9k 0
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件的集成在多種技術(shù)應(yīng)用中作為硅技術(shù)的替代品是一個(gè)不斷增長的市場(chǎng),它可以提供效率和功率密度的改進(jìn),這對(duì)能源和成本節(jié)約有很大的影...
2022-04-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2.8k 0
2022-04-21 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件FD-SOI技術(shù) 4.1k 0
半導(dǎo)體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開關(guān)和導(dǎo)通而產(chǎn)生功率損耗。開關(guān)損耗發(fā)生在結(jié)的通斷狀態(tài)之間的間隔期間,此時(shí)器件端子上既有電壓又有電流流過。傳導(dǎo)...
2022-04-21 標(biāo)簽:電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開關(guān)損耗 4.4k 0
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...
2022-04-01 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 5.2k 0
任何半導(dǎo)體器件都具有一定的非線性,尤其在大信號(hào)輸入情況下,非線性將更加明顯。由于放大器具有一定的增益,這意味著放大器有著比其它半導(dǎo)體器件更加明顯的非線性...
2022-04-01 標(biāo)簽:放大器失真半導(dǎo)體器件 6.3k 0
英飛凌IPOSIM平臺(tái)推出功率器件使用壽命評(píng)估服務(wù),以簡化半導(dǎo)體器件選型
英飛凌科技股份公司的功率器件在線仿真平臺(tái)IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計(jì)算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。
2022-03-22 標(biāo)簽:英飛凌功率器件半導(dǎo)體器件 1k 0
豪威集團(tuán)研發(fā)出0.56μm超小像素尺寸,引領(lǐng)像素壓縮
豪威集團(tuán)證實(shí)像素壓縮不受光波長限制;半導(dǎo)體器件堆疊新技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高量子效率性能的0.56μm超小像素尺寸。
2022-02-22 標(biāo)簽:圖像傳感器半導(dǎo)體器件光電二極管 1.2k 0
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