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場效應晶體管

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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。

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場效應晶體管技術(shù)

IGBT的G極電壓影響因素、測量方法及應用

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2022-10-28 標簽：MOS管場效應晶體管 1.7k 0

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美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。這款第六代 600V SJ MOSFE...

2023-11-02 標簽：半導體服務(wù)器場效應晶體管 1.7k 0

場效應晶體管入門指南

在現(xiàn)代電子學的宏偉建筑中，場效應晶體管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢...

2025-03-03 標簽：MOSFET 半導體 FET 1.7k 0

mos驅(qū)動芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因

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2024-07-14 標簽：MOS 場效應晶體管驅(qū)動芯片 1.7k 0

FET晶體管電路設(shè)計參數(shù)

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2024-01-09 標簽：電路設(shè)計晶體管場效應晶體管 1.7k 0

請問一下IGBT是如何實現(xiàn)電路控制的？

絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用于新能源電動汽車、及...

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EDA探索之新型垂直互補場效應晶體管（CFET）結(jié)構(gòu)設(shè)計

集成電路密度的提升是一個業(yè)界持續(xù)追求的方向，也是“集成”的含義所在。提升集成電路器件密度有多種方式，其中降低器件的單位面積是最根本也是最有效的途徑。

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基于Cr2C的面內(nèi)雙勢壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

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高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計

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簡單認識場效應管和集成運放

場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET），又稱場效應管，是一種利用電場效應來控制半導體材料導電性能的電壓控制型半導體器...

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柵極驅(qū)動芯片提高電流的方法主要有以下幾種： 1. 增加功率管增加MOSFET數(shù)量：通過增加MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率管的數(shù)量...

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半導體光刻工藝光刻—半導體電路的繪制

金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。

2023-07-27 標簽：MOSFET 半導體場效應晶體管 1.6k 0

MOS管FDBL86066型號參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS

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