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標簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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單相逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)控制、可再生能源等領(lǐng)域。 單相逆變電路的類型 單相逆變電路按照不同的分...
2024-07-08 標簽:電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管逆變電路 1.5k 0
簡化汽車車身電機控制器設(shè)計,快速實現(xiàn)輕量化
本文中,我們將討論可幫助應(yīng)對這些設(shè)計挑戰(zhàn)、集成到電機驅(qū)動集成電路中的特定模擬功能。
2020-12-14 標簽:德州儀器場效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動 1.5k 0
在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時,需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應(yīng)晶體管的指南...
2024-09-23 標簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 1.5k 0
在數(shù)字電路和功率電子中,MOS管(場效應(yīng)晶體管)是一種常見的開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電源、驅(qū)動電路和信號處理電路中。MOS管不僅在電源管理和信號放大...
2025-02-14 標簽:MOS管場效應(yīng)晶體管OD 1.5k 0
曹原導(dǎo)師最新《Nat. Nanotech》:在魔角石墨烯中實現(xiàn)開關(guān)超導(dǎo)性
低溫傳輸測量證明了高質(zhì)量扭曲的雙層石墨烯器件在接近魔角θ≈1.1°時的預(yù)期特征。在圖1b中,四探針縱向電阻Rxx被繪制成在基礎(chǔ)混合室溫度為40 mK時使...
2023-02-10 標簽:場效應(yīng)晶體管石墨烯晶格 1.5k 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-...
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關(guān)。
2023-02-16 標簽:三極管場效應(yīng)管MOS管 1.4k 0
請教一下經(jīng)受過嚴重ESD電擊的CMOS IC的可靠性會降低嗎?
靜電放電(ESD)是電子設(shè)備中一種常見的危害,它可能導(dǎo)致集成電路(IC)的損壞。對于CMOS IC來說,經(jīng)受過嚴重ESD電擊的可靠性會降低。
場效應(yīng)晶體管以其獨特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管電壓 1.3k 0
半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢
上回我們講到了在1959年,杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個集成電路芯片,標志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開了集成電路的時代。
2023-10-07 標簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 1.3k 0
交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。
2024-04-29 標簽:MOS管場效應(yīng)晶體管漏電流 1.2k 0
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng),逐漸被一種新型的晶...
2024-04-02 標簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 1.2k 0
氣體傳感是航空航天、軍事、醫(yī)療以及工業(yè)環(huán)境等應(yīng)用的一個重要研究領(lǐng)域,它有助于預(yù)防有毒有害氣體對人類健康和環(huán)境造成的風(fēng)險。在家庭和工業(yè)環(huán)境中,丙烷和丁烷通...
2023-11-14 標簽:氣體傳感器柵極場效應(yīng)晶體管 1.2k 0
MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀60年代,首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起,在如今電力電子功率器件中,無疑成為了最重要...
2022-11-30 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1.2k 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標簽:電阻VDMOS器件場效應(yīng)晶體管 1.2k 0
大多數(shù)基于石墨烯的氣體傳感器具有薄的層結(jié)構(gòu)。一個單獨的原始或CVD石墨烯片可以被轉(zhuǎn)移到一個剛性或柔性的襯底,以形成傳感層。然后金屬電極沉積在石墨烯的表面...
2023-08-09 標簽:傳感器氣體傳感器場效應(yīng)晶體管 1.1k 0
摩爾定律下一個10年的關(guān)鍵之3D堆疊技術(shù)
隨著傳統(tǒng)平面晶體管的尺寸縮小,器件物理學(xué)家稱為短溝道效應(yīng)的器件占據(jù)了中心位置??偟膩碚f,由于源極和漏極之間的距離變得非常小,電流會在不應(yīng)該泄漏的時候漏過...
2023-03-22 標簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 1.1k 0
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
2023-08-07 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管光電探測器 1k 0
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