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場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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兩個PMOS管背靠背連接,是串聯(lián)還是并聯(lián)?
兩個PMOS管背靠背連接,是串聯(lián)還是并聯(lián)? 串聯(lián)指的是將電子元件按照一定的順序連接起來,電流通過這些元件時需要逐個經(jīng)過。而并聯(lián)則是將電子元件同時連接到一...
2024-03-27 標(biāo)簽:場效應(yīng)管PMOS管 4.6k 0
逆變器中場效應(yīng)管發(fā)熱的原因有哪些? 逆變器中場效應(yīng)管發(fā)熱的原因有以下幾個方面: 1. 導(dǎo)通電阻發(fā)熱:在工作過程中,場效應(yīng)管處于導(dǎo)通狀態(tài),電流會通過導(dǎo)體。...
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器 4.6k 0
如何區(qū)分和選用晶體三極管和場效應(yīng)管 晶體三極管(BJT)和場效應(yīng)管(FET)是兩種常用的半導(dǎo)體器件,用于電子設(shè)備中的放大、開關(guān)和調(diào)節(jié)電流。為了正確選擇并...
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體三極管半導(dǎo)體器件 2.9k 0
LDMOS場效應(yīng)管,即橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。隨著對擊穿電壓要求的提高,對LDMOS場效應(yīng)管中場板要求也高。
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管LDMOS 1.3k 0
三極管和場效應(yīng)管是如何實現(xiàn)信號放大的呢?
三極管和場效應(yīng)管是如何實現(xiàn)信號放大的呢? 三極管和場效應(yīng)管是兩種常見的電子元件,被廣泛用于電子設(shè)備中的信號放大器電路。它們的工作原理不同,但都能實現(xiàn)信號...
2024-02-04 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管信號放大器 4.2k 0
逆變器的場效應(yīng)管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置,常用于太陽能發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中,場效應(yīng)管(MOSFET)是逆變器...
2024-01-31 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器 4.7k 0
2586場效應(yīng)管能不能使用3205場效應(yīng)管代替?
2586場效應(yīng)管能不能使用3205場效應(yīng)管代替? 場效應(yīng)管(也稱為晶體管)作為一種重要的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中,包括放大器、開關(guān)和數(shù)字邏輯電路等...
2024-01-15 標(biāo)簽:放大器場效應(yīng)管晶體管 2.3k 0
CFET將開啟三維晶體管結(jié)構(gòu)新紀(jì)元?
CFET結(jié)構(gòu)“初露端倪”,讓業(yè)界看到了晶體管結(jié)構(gòu)新的發(fā)展前景。然而,業(yè)內(nèi)專家預(yù)估,CFET結(jié)構(gòu)需要7~10年才能投入商用。
2024-01-02 標(biāo)簽:英特爾場效應(yīng)管臺積電 2.3k 0
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET氮化鎵 1.3k 0
場效應(yīng)管兩端并二極管有什么用處? 場效應(yīng)管和二極管是電子器件中常見的兩類元件,它們在電路設(shè)計和應(yīng)用中有著重要的作用。 一、場效應(yīng)管的原理、結(jié)構(gòu)和特點 場...
2023-12-21 標(biāo)簽:放大器二極管場效應(yīng)管 1.8k 0
場效應(yīng)管放大電路的原理? 場效應(yīng)管(FET)是一種三極管,常用于電子放大電路中。FET的原理是利用半導(dǎo)體材料的特性來控制電流和電壓,以實現(xiàn)放大作用。通過...
2023-12-07 標(biāo)簽:三極管放大電路場效應(yīng)管 4.3k 0
平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇?
平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇? 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS是常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFETs)...
2023-11-24 標(biāo)簽:VDMOS場效應(yīng)管 2.2k 0
N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?
N溝道場效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓? 大部分情況下,場效應(yīng)管的柵極電壓(G極)不會大于漏極電壓(D極)。這是因為場效應(yīng)管的工作原...
2023-11-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管柵極電壓 2.9k 0
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管? 場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和絕緣柵雙極型晶體管(I...
2023-11-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 1.2萬 0
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎?
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎? 場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種使用電場效應(yīng)來控制電...
2023-11-21 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管FET 3.7k 0
CP8335是同步轉(zhuǎn)換器,其輸入電壓范圍為6V的30V。它有一個集成的低側(cè)開關(guān)場效應(yīng)管,消除了外部二極管的需要,減少組件計數(shù)。通過集成的90-mΩ和65...
2023-11-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)管DCDC 728 0
如何簡單判斷一個場效應(yīng)管的好壞? 場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的晶體管類型之一。要判...
2023-11-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET 2.4k 0
線性交流恒流源與開關(guān)型恒流源特點有何不同? 線性交流恒流源和開關(guān)型恒流源是電子電路中常見的兩種恒流源,它們在工作原理、穩(wěn)定性和適用范圍等方面存在著一些不...
2023-11-16 標(biāo)簽:場效應(yīng)管恒流源BJT 1.8k 0
羅姆推出兩個新系列的低導(dǎo)通電阻 100V 雙通道場效應(yīng)管
羅姆半導(dǎo)體推出了雙 MOSFET,該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片,使其適用于驅(qū)動通信基站和工業(yè)設(shè)備中的風(fēng)扇電機(jī)。這五款新型號已添加到HP8...
2023-10-23 標(biāo)簽:芯片電阻場效應(yīng)管 1.5k 0
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計算?電路效率如何計算?
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計算?電路效率如何計算? Buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱計算與電路效率計算 隨著電子產(chǎn)品的逐步普及,人們對于其性能的要求越...
2023-10-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FETbuck電路 2.3k 0
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