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      標(biāo)簽　>　存儲單元

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      存儲單元簡介

      　　在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲元同時進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通?？梢源娣乓粋€字節(jié)；存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位。

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      存儲單元知識

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      存儲單元技術(shù)

      PSRAM完全解讀

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      PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...

      2023-06-08 標(biāo)簽：DRAM存儲單元sram 4.7萬 1

      介紹floorplan基本規(guī)則

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      因?yàn)殚L久以來，人們在使用具有矩形或者多邊形結(jié)構(gòu)的平面石磚砌墻或者鋪地面的時候發(fā)現(xiàn)一個規(guī)律，要想更好的利用手頭的材料，更少的產(chǎn)生材料的冗余，需要先從平鋪區(qū)...

      2018-06-25 標(biāo)簽：芯片ROM存儲單元 4.7萬 0

      一文詳解鎖存器

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      　　存儲電路由存儲器件組成,能存儲一位二值信號的器件稱為存儲單元電路. 存儲單元電路大多是雙穩(wěn)態(tài)電路。

      2023-03-16 標(biāo)簽：存儲單元控制電路信號 3.5萬 0

      什么是DRAM_DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖

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      最近幾年，電子產(chǎn)品的價格走勢不斷降低，大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會越來越便宜，但事實(shí)是從去年開始，手機(jī)、電腦、家電等產(chǎn)品價格一直在持續(xù)漲價，而這其中的主要...

      2020-08-24 標(biāo)簽：DRAM存儲單元 1.6萬 0

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      閃存發(fā)展到現(xiàn)在，經(jīng)歷了2D平面到現(xiàn)在的3D立體制程（Process）的大發(fā)展，目標(biāo)只有一個：硅片單位面積（mm2）能設(shè)計生產(chǎn)出更多的比特（bits），讓...

      2018-06-22 標(biāo)簽：閃存存儲單元SSD 1.6萬 0

      一文詳解主從觸發(fā)器

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      　　利用一個稱為“時鐘”的特殊定時控制信號去限制存儲單元狀態(tài)的改變時間,具有這種特點(diǎn)的存儲單元電路稱為觸發(fā)器。

      2023-03-16 標(biāo)簽：RS存儲單元主從觸發(fā)器 1.5萬 0

      動態(tài)隨機(jī)存儲器集成工藝（DRAM）詳解

      在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...

      2023-02-08 標(biāo)簽：DRAM存儲器工藝 1.2萬 0

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      憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和...

      2022-10-20 標(biāo)簽：存儲單元憶阻器阻變存儲器 1.2萬 0

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      本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并對實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的基本原理以及發(fā)展趨勢進(jìn)行介紹。

      2023-09-22 標(biāo)簽：FlaSh存儲單元GND 8.2k 0

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      存儲單元資訊

      采用LPC1752讀取AT24C08C的原理與實(shí)現(xiàn)方案

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      1 簡介 1.1 LPC1752及AT24C08C簡介 LPC1752是NXP推出的一款Cortex M3的芯片，最高運(yùn)行頻率可達(dá)80M AT24C08...

      2020-10-24 標(biāo)簽：寄存器存儲單元EEPROM 5.8k 0

      存儲單元四個基礎(chǔ)知識

      存儲單元的作用：可以進(jìn)行讀寫操作以及存放數(shù)據(jù)。

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      2022-08-26 標(biāo)簽：存儲單元SSDHDD 4.7k 0

      存儲單元結(jié)構(gòu)

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      靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元，再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲器中，存儲單元陣...

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      據(jù)外媒New Atlas報道，得克薩斯大學(xué)的工程師們創(chuàng)造了有史以來最小的記憶存儲設(shè)備之一，由一種二維材料制成，橫截面面積只有一平方納米。

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      存算一體正博得學(xué)界、產(chǎn)界等各路人馬的青睞，基于現(xiàn)有的技術(shù)、發(fā)展路徑以及應(yīng)用場景并結(jié)合業(yè)內(nèi)人士觀點(diǎn)，偲睿洞察認(rèn)為，存算一體將有著以下發(fā)展趨勢。

      2023-06-13 標(biāo)簽：cpu存儲單元存算一體 1.4k 0

      可編程邏輯器PLD頂用來寄存數(shù)據(jù)的根柢單元

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      編程單元：PLD頂用來寄存數(shù)據(jù)的根柢單元

      2020-06-17 標(biāo)簽：存儲單元PLD 1.3k 0

      單個分子的數(shù)據(jù)存儲如何使用

      單個原子或分子水平的相變可用于存儲數(shù)據(jù);這種存儲設(shè)備已經(jīng)存在于研究中。

      2019-12-05 標(biāo)簽：存儲器存儲單元 945 0

      布谷鳥科技ATU102數(shù)據(jù)存儲單元產(chǎn)品介紹

      車載數(shù)據(jù)存儲是自動駕駛汽車的“記憶中樞”，自動駕駛車輛在日常運(yùn)行中需要對海量數(shù)據(jù)存儲，這對車載存儲系統(tǒng)的容量、安全及可靠性提出極高要求。

      2025-05-14 標(biāo)簽：存儲單元數(shù)據(jù)存儲自動駕駛 734 0

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      存儲單元數(shù)據(jù)手冊

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        云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
      • 安博會
        安博會
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        云盤
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        V-NAND
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        FORESEE
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        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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