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      標簽　>　存儲單元

      存儲單元

      +關(guān)注1人關(guān)注

      　　存儲單元是多個存儲元的集合。一般應具有存儲數(shù)據(jù)和讀寫數(shù)據(jù)的功能，以8位二進制作為一個存儲單元，也就是一個字節(jié)。

      文章：58個 瀏覽：16637次 帖子：1個

      存儲單元技術(shù)

      PSRAM完全解讀

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      PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...

      2023-06-08 標簽：DRAM存儲單元sram 4.7萬 1

      介紹floorplan基本規(guī)則

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      因為長久以來，人們在使用具有矩形或者多邊形結(jié)構(gòu)的平面石磚砌墻或者鋪地面的時候發(fā)現(xiàn)一個規(guī)律，要想更好的利用手頭的材料，更少的產(chǎn)生材料的冗余，需要先從平鋪區(qū)...

      2018-06-25 標簽：芯片ROM存儲單元 4.7萬 0

      一文詳解鎖存器

      一文詳解鎖存器

      　　存儲電路由存儲器件組成,能存儲一位二值信號的器件稱為存儲單元電路. 存儲單元電路大多是雙穩(wěn)態(tài)電路。

      2023-03-16 標簽：存儲單元控制電路信號 3.5萬 0

      什么是DRAM_DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖

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      最近幾年，電子產(chǎn)品的價格走勢不斷降低，大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會越來越便宜，但事實是從去年開始，手機、電腦、家電等產(chǎn)品價格一直在持續(xù)漲價，而這其中的主要...

      2020-08-24 標簽：DRAM存儲單元 1.6萬 0

      SLC,MLC和TLC參數(shù)比較

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      閃存發(fā)展到現(xiàn)在，經(jīng)歷了2D平面到現(xiàn)在的3D立體制程（Process）的大發(fā)展，目標只有一個：硅片單位面積（mm2）能設(shè)計生產(chǎn)出更多的比特（bits），讓...

      2018-06-22 標簽：閃存存儲單元SSD 1.6萬 0

      一文詳解主從觸發(fā)器

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      　　利用一個稱為“時鐘”的特殊定時控制信號去限制存儲單元狀態(tài)的改變時間,具有這種特點的存儲單元電路稱為觸發(fā)器。

      2023-03-16 標簽：RS存儲單元主從觸發(fā)器 1.5萬 0

      動態(tài)隨機存儲器集成工藝（DRAM）詳解

      在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...

      2023-02-08 標簽：DRAM存儲器工藝 1.2萬 0

      憶阻器簡介及測試方案

      憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和...

      2022-10-20 標簽：存儲單元憶阻器阻變存儲器 1.2萬 0

      一文解析DARM工藝流程

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      DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的工藝流程包括多個關(guān)鍵步驟。

      2024-04-05 標簽：電容晶圓存儲單元 9.7k 0

      NOR Flash的技術(shù)體系和結(jié)構(gòu)特點

      NOR Flash的技術(shù)體系和結(jié)構(gòu)特點

      本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系，結(jié)構(gòu)特點，并對實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的基本原理以及發(fā)展趨勢進行介紹。

      2023-09-22 標簽：FlaSh存儲單元GND 8.2k 0

      SDRAM芯片引腳說明和存儲單元

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      SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步動態(tài)隨機存儲器，同步指存儲器的工作需要參考時鐘。

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      　　Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。

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      全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動態(tài)隨機...

      2023-06-23 標簽：芯片存儲器存儲單元 7.4k 0

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      存儲單元是計算機系統(tǒng)中的基本元素，用于存儲和檢索數(shù)據(jù)。以下是對存儲單元的全面解析，涵蓋其定義、類型、功能、特點以及在計算機系統(tǒng)中的重要作用。

      2024-08-30 標簽：cpu存儲單元計算機系統(tǒng) 6.9k 0

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      DRAM的矩陣存儲電路設(shè)計方案

      DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，...

      2020-12-01 標簽：DRAMcpu存儲單元 6.2k 0

      專用集成電路的定義、分類、設(shè)計流程、應用領(lǐng)域以及優(yōu)缺點

      專用集成電路（Application-Specific Integrated Circuit，簡稱ASIC）指的是用于特定應用的定制芯片。與通用集成電路...

      2024-04-21 標簽：存儲單元模擬信號專用集成電路 5.5k 0

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      EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）的擦除過程是一個涉及硬件和軟件操作...

      2024-09-05 標簽：存儲單元晶體管EEPROM 5.4k 0

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      時序電路，生成觸發(fā)器，觸發(fā)器是有使能端的，使能端無效時數(shù)據(jù)不變，這是觸發(fā)器的特性。

      2020-06-26 標簽：存儲單元時序電路鎖存器 5.4k 0

      NOR FLASH和NAND FLASH的應用電路

      NOR FLASH和NAND FLASH的應用電路

      首先，我要用這張圖來說明存儲器近70年的發(fā)展歷程，縱觀這70年的發(fā)展，可以發(fā)現(xiàn)主要是在容量，速度以及壽命等方面出現(xiàn)了飛躍式增長。

      2023-09-25 標簽：NANDFlaSh存儲器 4.8k 0

      串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性(1)

      串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性(1)

      引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件，在特殊應用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)...

      2023-08-11 標簽：FlaSh存儲器存儲單元 4.7k 0

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        　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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        Ceph
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