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寬禁帶技術(shù)

泰克科技寬禁帶功率半導(dǎo)體雙脈沖測試解決方案

采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計，需要精心的設(shè)計和測試以優(yōu)化性能。

2025-08-25 標(biāo)簽：示波器泰克功率半導(dǎo)體 981 0

氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵...

2025-05-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮氧化 1.1k 0

寬禁帶技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率...

2025-02-19 標(biāo)簽：電動汽車轉(zhuǎn)換器泰克科技 666 0

寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體封裝與測試解決方案

隨著科技的不斷進步，電子設(shè)備對性能和效率的要求日益提高，為了滿足這些需求，寬禁帶(WideBandgap,WBG)半導(dǎo)體材料如氮化鎵(GaN)和碳化硅(...

2024-08-14 標(biāo)簽：測試半導(dǎo)體寬禁帶 1.3k 0

IGBT器件失效模式的影響分析

功率循環(huán)加速老化試驗中，IGBT 器件失效模式主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在多個影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗條件等。

2024-04-18 標(biāo)簽：IGBT 晶體管寬禁帶 2.1k 0

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 3.7k 0

碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是什么

傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數(shù)大。CPES...

2023-08-14 標(biāo)簽：pcb 功率器件 SiC 1.2k 0

淺談伺服驅(qū)動技術(shù)未來開發(fā)趨勢

總體來看，伺服驅(qū)動系統(tǒng)的發(fā)展趨勢是：體積減小，質(zhì)量減輕，并提升了最高轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)速；提高響應(yīng)性，縮短調(diào)整時間；提高了整定性能，使調(diào)諧趨于簡單便利；提高了擴展...

2023-02-15 標(biāo)簽：伺服驅(qū)動寬禁帶 1.2k 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 2.4k 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

2023-02-03 標(biāo)簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1.3k 0

寬禁帶帖子

請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計？

標(biāo)簽：驅(qū)動器寬禁帶 1333 1

一文知道寬禁帶應(yīng)用趨勢

標(biāo)簽：寬禁帶 2021 1

氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計方案

標(biāo)簽：電源設(shè)計 GaN 寬禁帶 2261 1

寬禁帶促進太陽能技術(shù)的發(fā)展

標(biāo)簽：太陽能寬禁帶 1694 0

一文詳解下一代功率器件寬禁帶技術(shù)

標(biāo)簽：IGBT 功率器件寬禁帶 2457 0

寬禁帶方案的發(fā)展趨勢怎么樣？

標(biāo)簽：SiC 寬禁帶 1672 2

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博世引領(lǐng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)革新

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的...

2025-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 博世 372 0

2025IEEE亞洲寬禁帶功率器件及應(yīng)用研討會落幕

2025 年 8 月 15 日至 17 日，2025 IEEE 亞洲寬禁帶功率器件及應(yīng)用研討會(WiPDA Asia 2025)在北京國際會議中心成功舉...

2025-08-28 標(biāo)簽：功率器件寬禁帶 407 0

2025新能源汽車領(lǐng)域發(fā)生哪些“寬禁帶變革”?

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇學(xué)習(xí)總結(jié)》系列-文字原創(chuàng)，素材來源：Infineon-本篇為節(jié)選...

2025-07-24 標(biāo)簽：新能源汽車寬禁帶 965 0

浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

近年來，電力電子技術(shù)取得了重大進展。從電動汽車到可再生能源系統(tǒng)，逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等...

2025-04-25 標(biāo)簽：逆變器功率器件寬禁帶 611 0

半導(dǎo)體材料發(fā)展史：從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的...

2025-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料寬禁帶 1.9k 0

全天直播即將開啟丨英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇四大亮點搶先看

寬禁帶（WBG）解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸，它們是實現(xiàn)可持續(xù)設(shè)計的關(guān)鍵。英飛凌的WBG產(chǎn)品組合表現(xiàn)如何？能為開發(fā)...

2025-03-06 標(biāo)簽：英飛凌寬禁帶 670 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨特的物理和化學(xué)特性，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...

2024-11-29 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 6.3k 0

聞泰科技與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

近日，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)宣布與全球知名汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達）正式建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作旨在共同開發(fā)和生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的車規(guī)級...

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶聞泰科技 1.3k 0

2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相

英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)推進可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方...

2024-07-04 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 寬禁帶 1.1k 0

2024英飛凌寬禁帶論壇開幕在即：行業(yè)精英齊聚，共話前沿技術(shù)

7月9日，英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果，與行業(yè)伙伴一道深入...

2024-06-28 標(biāo)簽：英飛凌慕尼黑寬禁帶 1.3k 0

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貿(mào)澤電子

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貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商，分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計工程師和采購人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
寒武紀(jì)

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寒武紀(jì)是目前國際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
半導(dǎo)體芯片

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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Heilind為電子行業(yè)各細分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個不同元器件類別，并特別專注于互連與機電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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揭開Nvidia CEO 黃仁勛傳奇人生
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RISC-V是一個基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點在于它是開源的，這是與另外兩個主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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Heilind為電子行業(yè)各細分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個不同元器件類別，特別專注于互聯(lián)和機電產(chǎn)品。
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柔性顯示是使用了PHOLED磷光性O(shè)LED技術(shù)，這種技術(shù)的特點是，低功耗，體積小，直接可視柔性。
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紫光展銳

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紫光展銳是我國集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價值、未來、服務(wù)為三個指向，為個人與社會的智能化服務(wù)。
梁孟松

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
華為p10

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北京時間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動通信大會2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史?？偛吭O(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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安路科技

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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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華為Mate9

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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機處理器。
7nm

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長電科技

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長電科技面向全球提供封裝設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場。
Haswell

Haswell

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚搭載GT1。此外，Haswell將會使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
iPhone6S

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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
比特大陸

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公司在特別依賴分布式高性能計算維護網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對的優(yōu)勢在該細分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會根據(jù)該ID采取一些行動。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領(lǐng)域。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。
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東軟集團是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。

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