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寬禁帶技術(shù)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...

2021-02-21 標(biāo)簽：散熱器氮化鎵 GaN 7.6k 0

什么是激光雷達(dá) 如何用氮化鎵消除激光雷達(dá)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...

2021-01-11 標(biāo)簽：激光器氮化鎵 adas 5.8k 0

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性

寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和...

2020-10-10 標(biāo)簽：IC設(shè)計安森美半導(dǎo)體寬禁帶 4.1k 0

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 3.7k 0

硅基器件與寬禁帶器件的區(qū)別

固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy...

2022-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體熱導(dǎo)率寬禁帶 2.6k 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 2.4k 0

IGBT器件失效模式的影響分析

功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在多個影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條件等。

2024-04-18 標(biāo)簽：IGBT 晶體管寬禁帶 2.1k 0

寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電...

2020-05-28 標(biāo)簽：功率MOSFET 碳化硅寬禁帶 1.9k 0

相控陣?yán)走_(dá)性能的基石：寬禁帶半導(dǎo)體

現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體器件，因此半導(dǎo)體器件的性能就決定了整個電子產(chǎn)品的性能，所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物理器件。

2016-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子寬禁帶 1.5k 0

【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計

半橋電路（圖1）廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用，是現(xiàn)代設(shè)計中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅(qū)動器和布線正確且優(yōu)化設(shè)計時，這種電路的優(yōu)勢...

2020-08-31 標(biāo)簽：示波器功率器件探頭 1.5k 0

寬禁帶帖子

一文詳解下一代功率器件寬禁帶技術(shù)

標(biāo)簽：IGBT 功率器件寬禁帶 2461 0

氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計方案

標(biāo)簽：電源設(shè)計 GaN 寬禁帶 2266 1

一文知道寬禁帶應(yīng)用趨勢

標(biāo)簽：寬禁帶 2021 1

寬禁帶促進(jìn)太陽能技術(shù)的發(fā)展

標(biāo)簽：太陽能寬禁帶 1696 0

寬禁帶方案的發(fā)展趨勢怎么樣？

標(biāo)簽：SiC 寬禁帶 1672 2

請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計？

標(biāo)簽：驅(qū)動器寬禁帶 1334 1

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寬禁帶資訊

投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 1.9萬 1

第三代半導(dǎo)體材料有何優(yōu)勢

日前，在紀(jì)念集成電路發(fā)明60周年學(xué)術(shù)會議上，中科院院士、國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)...

2018-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶 1.5萬 0

盤點(diǎn)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件最新進(jìn)展

郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件，利用高界面質(zhì)量的凹槽半懸空柵技術(shù)，器件的fmax達(dá)320GHz，在輸出功率密度一定的情況下，功率附加效率在30...

2018-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶 1.2萬 0

寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎(chǔ)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)（400千瓦時）的3...

2018-07-24 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6.7k 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...

2024-11-29 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 6.3k 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（I...

2023-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶 6.1k 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2.9k 0

第16屆“中國芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦

大會同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動后摩爾時代發(fā)展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽：中國芯 SiC 氮化鎵 2.7k 0

瑞能半導(dǎo)體如何才能在激烈的市場競爭中突圍

2015年，瑞能半導(dǎo)體從恩智浦功率產(chǎn)品線獨(dú)立出來，如今已成為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)廠商，特別是碳化硅市場份額在國際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展，瑞能半導(dǎo)體...

2021-08-20 標(biāo)簽：恩智浦碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2.5k 0

意法半導(dǎo)體新廠2023年開始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，...

2022-10-08 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 2.3k 0

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寒武紀(jì)是目前國際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
半導(dǎo)體芯片

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個不同元器件類別，并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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RISC-V是一個基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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北京時間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動通信大會2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史?？偛吭O(shè)在美國洛厄爾，馬薩諸塞州。
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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長電科技面向全球提供封裝設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會根據(jù)該ID采取一些行動。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。

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