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標簽 > 開關(guān)器件
單控開關(guān)作為開關(guān)器件的其中一種,它是一個開關(guān)控制一個系統(tǒng),比如我們家里常見的控制電燈的開關(guān)就是所說的單控開關(guān),單控開關(guān)的好處就是比較穩(wěn)定,好用,適用于大多數(shù)常用電器。再一個就是雙控開關(guān),雙控開關(guān)和單控開關(guān)原理比較相似。
單控開關(guān)作為開關(guān)器件的其中一種,它是一個開關(guān)控制一個系統(tǒng),比如我們家里常見的控制電燈的開關(guān)就是所說的單控開關(guān),單控開關(guān)的好處就是比較穩(wěn)定,好用,適用于大多數(shù)常用電器。再一個就是雙控開關(guān),雙控開關(guān)和單控開關(guān)原理比較相似,只不過雙控開關(guān)是兩個我開關(guān)同時控制一個系統(tǒng),這種開關(guān)主要是方便我們,這種開關(guān)在 臥室 中比較常見,因為我們比較喜歡進 門 開燈,收拾完一切后又不想下 床 ,所以 床頭 可以再裝一個開關(guān),這兩個開關(guān)同時控制一個電燈,這樣為我們提供了很大的方便。
聲控開關(guān)在家庭中很少使用,一般都使用在公共場合,比如我們常見的公共廁所、樓道都會使用這種開關(guān),這種開關(guān)主要用于照明來用,其主要原理是用聲音來觸發(fā)啟動裝置,這種開關(guān)使用和安裝都比較方便。
?TPS22991I 負載開關(guān)器件技術(shù)文檔總結(jié)
TPS22991I是一款小型、低 RON、單通道負載開關(guān),具有受控壓擺率。該器件包含一個N溝道MOSFET,可在1.0V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,...
2025-09-25 標簽:MOSFET負載開關(guān)輸入電壓 401 0
?CSD96370Q5M同步降壓NexFET?功率級芯片技術(shù)文檔總結(jié)
CSD96370Q5M NexFET 功率級經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,適用于高功率、高密度 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強型柵極驅(qū)動器IC和電源模塊技術(shù),以完成功...
2025-08-08 標簽:開關(guān)器件同步降壓轉(zhuǎn)換器NexFET 688 0
?CSD97370Q5M 同步降壓NexFET?功率級芯片技術(shù)文檔總結(jié)
CSD97370Q5M NexFET 功率級是一種優(yōu)化設(shè)計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強型柵極驅(qū)動器IC和電源模塊技術(shù),以完成功...
2025-08-08 標簽:封裝電源模塊開關(guān)器件 480 0
?CSD97370AQ5M同步降壓NexFET?功率級總結(jié)
CSD97370AQ5M NexFET 功率級經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,適用于高功率、高密度 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強型柵極驅(qū)動器IC和電源模塊技術(shù),以完成...
2025-08-08 標簽:封裝開關(guān)器件同步降壓轉(zhuǎn)換器 640 0
CSD97394Q4M 同步降壓 NexFET? 功率級數(shù)據(jù)手冊
CSD97394Q4M NexFET? 功率級是一個 高度優(yōu)化的設(shè)計,用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動IC和NexFET技術(shù),完成功率...
2025-08-07 標簽:PWM靜態(tài)電流開關(guān)器件 707 0
CSD97396Q4M 30A同步降壓NexFET功率級數(shù)據(jù)手冊
CSD97396Q4M NexFET 功率級是一款 高度優(yōu)化的設(shè)計,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動IC和NexFET技術(shù),完成功率...
2025-08-07 標簽:PWM開關(guān)器件同步降壓轉(zhuǎn)換器 718 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件,其長期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運行安全。在諸多應(yīng)力因素中,高柵極電壓(Vge)與工作...
2025-07-15 標簽:電壓IGBT開關(guān)器件 2.1k 0
Texas Instruments TMUX7612 4通道精密多路復(fù)用器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments TMUX7612 4通道精密多路復(fù)用器是互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開關(guān)器件,具有四個可獨立選擇的1:1單刀單擲...
MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點,適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這...
破解MOS管高頻振蕩困局:從米勒平臺抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準控制,作為開關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當柵源電壓(Vgs)超過閾...
2025-06-18 標簽:場效應(yīng)管MOS管開關(guān)器件 727 0
雙非反相功率驅(qū)動器UC1708數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標簽:驅(qū)動器開關(guān)器件
類別:電子資料 2023-11-20 標簽:開關(guān)電源晶體管開關(guān)器件
BoostPFC電路中開關(guān)器件的損耗分析與計算立即下載
類別:電子資料 2021-05-11 標簽:開關(guān)器件boostpfc電路
LinkSwitch系列低功率離線式開關(guān)器件芯片的電磁兼容性設(shè)計立即下載
類別:電子資料 2020-08-04 標簽:芯片EMC開關(guān)器件
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-11-19 標簽:半導(dǎo)體晶體管開關(guān)器件
類別:電源技術(shù) 2018-03-19 標簽:開關(guān)器件
利用開關(guān)器件提高PFC效率的實現(xiàn)分析立即下載
類別:電源技術(shù) 2017-12-12 標簽:二極管mosfet開關(guān)器件
類別:產(chǎn)品手冊 2016-04-29 標簽:開關(guān)器件
類別:產(chǎn)品手冊 2016-04-29 標簽:開關(guān)器件
Boost PFC電路中開關(guān)器件的損耗分析與計算立即下載
類別:電源技術(shù) 2009-10-17 標簽:開關(guān)器件
Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,為旗下不斷擴充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校,可滿...
2025-10-10 標簽:MOSFET功率開關(guān)開關(guān)器件 381 0
開關(guān)器件應(yīng)用辨析:可控硅能否替代MOS管?
在電力電子系統(tǒng)中,可控硅(晶閘管)與MOS管(場效應(yīng)管)均屬于關(guān)鍵開關(guān)器件。針對工程師常提出的"是否可用可控硅直接替換MOS管"這一...
2025-06-11 標簽:可控硅MOS管開關(guān)器件 967 0
固態(tài)繼電器性能參數(shù)分析 固態(tài)繼電器驅(qū)動電路設(shè)計
固態(tài)繼電器性能參數(shù)分析 固態(tài)繼電器(Solid State Relay,SSR)是一種全部由固態(tài)電子元件組成的新型無觸點開關(guān)器件。以下是對其性能參數(shù)的詳...
2024-12-11 標簽:固態(tài)繼電器參數(shù)驅(qū)動電路 3.6k 0
開關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 如何定制開關(guān)電源解決方案
開關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 開關(guān)電源的效率優(yōu)化是一個系統(tǒng)工程,涉及多個方面,以下是一些關(guān)鍵的優(yōu)化方法: 采用高品質(zhì)的變壓器 : 變壓器是開關(guān)電源中的核心部件...
2024-11-29 標簽:變壓器開關(guān)電源IGBT 4.2k 0
HS1011型±15V精密單刀雙擲模擬開關(guān)——高壓模擬開關(guān)系列3
乾鴻微全新推出與HS1010型±15V精密單刀單擲模擬開關(guān)同屬高壓精密模擬開關(guān)系列的HS1011型±15V精密單刀雙擲模擬開關(guān)。如果您有需求,敬請聯(lián)系我...
2024-06-26 標簽:電流模擬開關(guān)開關(guān)器件 1.9k 0
特瑞諾(TRINNO)采用最新技術(shù)的1350V高頻IGBT器件
隨著技術(shù)的不斷進步,IGBT的設(shè)計和制造也在持續(xù)優(yōu)化。現(xiàn)代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性,還減小了尺寸和重量,這對于空間受限的應(yīng)用尤為重要。此外,通...
2024-06-21 標簽:封裝IGBT開關(guān)器件 1.2k 0
國產(chǎn)氮化鎵實現(xiàn)新突破,1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢?
眾所周知,GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們在開關(guān)操作期間的動態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加,這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標簽:導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2.5k 0
功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類,IGBT器件是開關(guān)器件,優(yōu)勢在于體積小、壽命長、可靠性高,現(xiàn)在市場上使用程度最大的是第4代器件,全球龍頭企業(yè)為...
Nexperia (安世半導(dǎo)體)推出新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實現(xiàn)出色效率
IGBT是一項相對成熟的技術(shù)。盡管如此,這些器件的市場預(yù)計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia 的600 V ...
2023-08-14 標簽:電源IGBT開關(guān)器件 861 0
升壓芯片(Boost芯片)是一種用于將輸入電壓提升到較高電壓級別的電路。它基本原理是利用電感和開關(guān)器件(通常是MOSFET)的開關(guān)操作來實現(xiàn)。
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