標(biāo)簽　>　開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)損耗

+關(guān)注1人關(guān)注

文章：58個(gè) 瀏覽：13834次帖子：15個(gè)

開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，還要同時(shí)具備一定的抗短路能力。短路時(shí)，如...

2025-08-07 標(biāo)簽：IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)損耗 3.1k 0

如何準(zhǔn)確的測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗

一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

2019-06-27 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗 3k 0

一文讀懂MOSFET開(kāi)關(guān)損耗介紹

MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開(kāi)關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過(guò)通道，但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過(guò)通道...

2024-06-13 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管開(kāi)關(guān)損耗 2.6k 0

PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案

MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗...

2022-10-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PFC 2.6k 0

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開(kāi)關(guān)損耗影響的評(píng)估

過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽：安森美 SiC 熱仿真 2.6k 0

MOS管怎么用？從認(rèn)識(shí)米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2022-10-25 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 2.5k 0

如何使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗

電源開(kāi)關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標(biāo)，它反映了開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...

2024-05-27 標(biāo)簽：示波器電源開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)損耗 2.3k 0

關(guān)于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題探討

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開(kāi)關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過(guò)渡時(shí)間的功率乘以開(kāi)關(guān)頻率后的值即開(kāi)關(guān)損耗。

2020-04-06 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 2.1k 0

影響MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的因素

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的開(kāi)關(guān)...

2024-09-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)損耗 2.1k 0

功率MOSFET管應(yīng)用問(wèn)題匯總

問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散...

2023-12-03 標(biāo)簽：負(fù)載開(kāi)關(guān)功率MOSFET管 MOSFET管 2.1k 0

終端區(qū)域?qū)﹂_(kāi)關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個(gè)相關(guān)因素，因?yàn)楦邘对诟邷亍㈦妷?..

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗 1.9k 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽：二極管 MOSFET IGBT 1.8k 0

如何平衡IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗（動(dòng)態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系：降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載...

2025-08-19 標(biāo)簽：IGBT 開(kāi)關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1.8k 0

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來(lái)都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn)，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來(lái)，第三代GaN半導(dǎo)...

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 服務(wù)器 GaN 1.8k 0

DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 1.7k 0

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法

MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 IGBT 1.6k 0

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 ...

2025-02-21 標(biāo)簽：MOSFET 安森美分立器件 1.5k 0

雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(1)

IGBT的開(kāi)關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...

2025-04-22 標(biāo)簽：IGBT 變流器雜散電感 1.4k 0

全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢(shì)。

2023-02-08 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率模塊 1.4k 0

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

2023-12-11 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)限流電阻開(kāi)關(guān)損耗 1.4k 0

相關(guān)話題

換一批

智慧城市

智慧城市

+關(guān)注

智慧城市就是運(yùn)用信息和通信技術(shù)手段感測(cè)、分析、整合城市運(yùn)行核心系統(tǒng)的各項(xiàng)關(guān)鍵信息，從而對(duì)包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動(dòng)在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
Pt100

Pt100

+關(guān)注

pt100是鉑熱電阻，它的阻值會(huì)隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時(shí)阻值為100歐姆，在100℃時(shí)它的阻值約為138.5歐姆。
TE Connectivity

TE Connectivity

+關(guān)注

TE Connectivity Ltd(泰科電子)公司設(shè)計(jì)和制造的50多萬(wàn)種產(chǎn)品，連接和保護(hù)了我們?nèi)粘Ｊ褂玫母鞣N產(chǎn)品中的電力和數(shù)據(jù)流動(dòng)。
可變?cè)鲆娣糯笃?

可變?cè)鲆娣糯笃?

+關(guān)注
電子管

電子管

+關(guān)注

電子管，是一種最早期的電信號(hào)放大器件。被封閉在玻璃容器（一般為玻璃管）中的陰極電子發(fā)射部分、控制柵極、加速柵極、陽(yáng)極（屏極）引線被焊在管基上。利用電場(chǎng)對(duì)真空中的控制柵極注入電子調(diào)制信號(hào)，并在陽(yáng)極獲得對(duì)信號(hào)放大或反饋振蕩后的不同參數(shù)信號(hào)數(shù)據(jù)。
OLED顯示屏

OLED顯示屏

+關(guān)注

本文詳細(xì)介紹了OLED顯示屏發(fā)光原理機(jī)OLED 和 LCD 什么區(qū)別，對(duì)于技術(shù)人員有所幫助！
創(chuàng)意

創(chuàng)意

+關(guān)注
BT136

BT136

+關(guān)注

BT136是電子元器件型號(hào)的一種，為雙向可控硅。而可控硅又是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。
光耦型號(hào)

光耦型號(hào)

+關(guān)注
自鎖電路

自鎖電路

+關(guān)注
DesignSpark

DesignSpark

+關(guān)注
匯頂科技

匯頂科技

+關(guān)注

匯頂科技（603160.SH）是一家基于芯片設(shè)計(jì)和軟件開(kāi)發(fā)的整體應(yīng)用解決方案提供商，目前主要面向智能終端、物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子領(lǐng)域提供領(lǐng)先的半導(dǎo)體軟硬件解決方案。產(chǎn)品和解決方案已經(jīng)廣泛應(yīng)用于華為、OPPO、vivo、小米、Samsung、Google、Amazon、Dell、HP、LG、一加、Nokia、ASUS等國(guó)際國(guó)內(nèi)知名品牌
74ls175

74ls175

+關(guān)注
LED燈珠

LED燈珠

+關(guān)注

LED英文為（light emitting diode），LED燈珠就是發(fā)光二極管的英文縮寫(xiě)簡(jiǎn)稱LED，這是一個(gè)通俗的稱呼。LED燈珠廣泛用于燈飾照明、LED大屏幕顯示、交通燈、裝飾、電腦、電子玩具禮品、交換機(jī)、電話機(jī)、廣告、城市光彩工程等諸多生產(chǎn)領(lǐng)域
POV

POV

+關(guān)注
頻率合成

頻率合成

+關(guān)注
電阻屏

電阻屏

+關(guān)注

電阻式觸摸屏是一種傳感器，它將矩形區(qū)域中觸摸點(diǎn)（X，Y）的物理位置轉(zhuǎn)換為代表X坐標(biāo)和Y坐標(biāo)的電壓。很多LCD模塊都采用了電阻式觸摸屏，這種屏幕可以用四線、五線、七線或八線來(lái)產(chǎn)生屏幕偏置電壓，同時(shí)讀回觸摸點(diǎn)的電壓。
LF398

LF398

+關(guān)注
限流電阻

限流電阻

+關(guān)注

　　限流電阻是由電阻串聯(lián)于電路中，用以限制所在支路電流的大小，以防電流過(guò)大燒壞所串聯(lián)的元器件。同時(shí)限流電阻也能起分壓作用。
??微控制器

??微控制器

+關(guān)注
MAX31855

MAX31855

+關(guān)注

MAX31855冷端補(bǔ)償熱電偶至數(shù)字輸出轉(zhuǎn)換器，高精度熱電偶數(shù)字轉(zhuǎn)換器IC，有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低系統(tǒng)成本。
硅基

硅基

+關(guān)注

硅基智能成立于2017年8月，總部位于中國(guó)南京，是一家以服務(wù)智能化和知識(shí)智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。
鈉離子電池

鈉離子電池

+關(guān)注

鈉離子電池是一種二次電池（充電電池），主要依靠鈉離子在正極和負(fù)極之間移動(dòng)來(lái)工作，與鋰離子電池工作原理相似。鈉離子電池使用的電極材料主要是鈉鹽，相較于鋰鹽而言儲(chǔ)量更豐富，價(jià)格更低廉。由于鈉離子比鋰離子更大，所以當(dāng)對(duì)重量和能量密度要求不高時(shí)，鈉離子電池是一種劃算的替代品。
ONU

ONU

+關(guān)注
高阻態(tài)

高阻態(tài)

+關(guān)注
滑動(dòng)變阻器

滑動(dòng)變阻器

+關(guān)注

　　滑動(dòng)變阻器是電路元件，它可以通過(guò)來(lái)改變自身的電阻，從而起到控制電路的作用。
DIP4

DIP4

+關(guān)注
LED搖搖棒

LED搖搖棒

+關(guān)注
TRIAC調(diào)光

TRIAC調(diào)光

+關(guān)注
延時(shí)繼電器

延時(shí)繼電器

+關(guān)注

換一批

電機(jī)控制	DSP	氮化鎵	功率放大器	ChatGPT	自動(dòng)駕駛	TI	瑞薩電子
BLDC	PLC	碳化硅	二極管	OpenAI	元宇宙	安森美	ADI
無(wú)刷電機(jī)	FOC	IGBT	逆變器	文心一言	5G	英飛凌	羅姆
直流電機(jī)	PID	MOSFET	傳感器	人工智能	物聯(lián)網(wǎng)	NXP	賽靈思
步進(jìn)電機(jī)	SPWM	充電樁	IPM	機(jī)器視覺(jué)	無(wú)人機(jī)	三菱電機(jī)	ST
伺服電機(jī)	SVPWM	光伏發(fā)電	UPS	AR	智能電網(wǎng)	國(guó)民技術(shù)	Microchip

瑞薩	沁恒股份	全志	國(guó)民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯?？萍?/a>	Altium
德州儀器	Vishay	Micron	Skyworks	AMS	TAIYOYUDEN	納芯微	HARTING
adi	Cypress	Littelfuse	Avago	FTDI	Cirrus LogIC	Intersil	Qualcomm
st	Murata	Panasonic	Altera	Bourns	矽力杰	Samtec	揚(yáng)興科技
microchip	TDK	Rohm	Silicon Labs	圣邦微電子	安費(fèi)諾工業(yè)	ixys	Isocom Compo
安森美	DIODES	Nidec	Intel	EPSON	樂(lè)鑫	Realtek	ERNI電子
TE Connectivity	Toshiba	OMRON	Sensirion	Broadcom	Semtech	旺宏	英飛凌
Nexperia	Lattice	KEMET	順絡(luò)電子	霍尼韋爾	pulse	ISSI	NXP
Xilinx	廣瀨電機(jī)	金升陽(yáng)	君耀電子	聚洵	Liteon	新潔能	Maxim
MPS	億光	Exar	菲尼克斯	CUI	WIZnet	Molex	Yageo
Samsung	風(fēng)華高科	WINBOND	長(zhǎng)晶科技	晶導(dǎo)微電子	上海貝嶺	KOA	Echelon
Coilcraft	LRC	trinamic

放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開(kāi)關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
振蕩器	諧振器	濾波器	電容器	電感器	電阻器	二極管	晶體管
變送器	傳感器	解析器	編碼器	陀螺儀	加速計(jì)	溫度傳感器	壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器	步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器	TWS	BLDC	無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器	濕度傳感器	光學(xué)傳感器	圖像傳感器
數(shù)字隔離器	ESD 保護(hù)	收發(fā)器	橋接器	多路復(fù)用器	氮化鎵	PFC	數(shù)字電源

開(kāi)關(guān)電源	步進(jìn)電機(jī)	無(wú)線充電	LabVIEW	EMC	PLC	OLED	單片機(jī)
5G	m2m	DSP	MCU	ASIC	CPU	ROM	DRAM
NB-IoT	LoRa	Zigbee	NFC	藍(lán)牙	RFID	Wi-Fi	SIGFOX
Type-C	USB	以太網(wǎng)	仿真器	RISC	RAM	寄存器	GPU
語(yǔ)音識(shí)別	萬(wàn)用表	CPLD	耦合	電路仿真	電容濾波	保護(hù)電路	看門(mén)狗
CAN	CSI	DSI	DVI	Ethernet	HDMI	I2C	RS-485
SDI	nas	DMA	HomeKit	閾值電壓	UART	機(jī)器學(xué)習(xí)	TensorFlow

Arduino	BeagleBone	樹(shù)莓派	STM32	MSP430	EFM32	ARM mbed	EDA
示波器	LPC	imx8	PSoC	Altium Designer	Allegro	Mentor	Pads
OrCAD	Cadence	AutoCAD	華秋DFM	Keil	MATLAB	MPLAB	Quartus

18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

搜索歷史

開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(1人)

C++	Java	Python	JavaScript	node.js	RISC-V	verilog	Tensorflow
Android	iOS	linux	RTOS	FreeRTOS	LiteOS	RT-THread	uCOS
DuerOS	Brillo	Windows11	HarmonyOS

林超文PCB設(shè)計(jì)：PADS教程，PADS視頻教程	鄭振宇老師：Altium Designer教程，Altium Designer視頻教程
張飛實(shí)戰(zhàn)電子視頻教程	朱有鵬老師：海思HI3518e教程，HI3518e視頻教程
李增老師：信號(hào)完整性教程，高速電路仿真教程	華為鴻蒙系統(tǒng)教程，HarmonyOS視頻教程
賽盛：EMC設(shè)計(jì)教程，EMC視頻教程	杜洋老師：STM32教程，STM32視頻教程
唐佐林：c語(yǔ)言基礎(chǔ)教程，c語(yǔ)言基礎(chǔ)視頻教程	張飛：BUCK電源教程，BUCK電源視頻教程
正點(diǎn)原子：FPGA教程，F(xiàn)PGA視頻教程	韋東山老師：嵌入式教程，嵌入式視頻教程
張先鳳老師：C語(yǔ)言基礎(chǔ)視頻教程	許孝剛老師：Modbus通訊視頻教程
王振濤老師：NB-IoT開(kāi)發(fā)視頻教程	Mill老師：FPGA教程，Zynq視頻教程
C語(yǔ)言視頻教程	RK3566芯片資料合集
朱有鵬老師：U-Boot源碼分析視頻教程	開(kāi)源硬件專題