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標(biāo)簽 > 開關(guān)損耗
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開關(guān)損耗測量中時間偏移對測量結(jié)果的影響分析
開關(guān)器件的功率損耗是開關(guān)器件評估的重要環(huán)節(jié),也是許多示波器選配的高級分析功能。事實(shí)上,雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗程度測量環(huán)境,對設(shè)備和探頭也投入不菲,...
2018-02-07 標(biāo)簽:開關(guān)損耗 1.3k 0
開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...
2023-01-29 標(biāo)簽:開關(guān)電源開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1.3k 0
探討高輸出電流應(yīng)用時的注意事項(xiàng) 其1
上一篇文章介紹了輸入電壓升高時損耗增加的部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時應(yīng)該注意的兩個事項(xiàng)之一。探討高輸出電流應(yīng)用時的注...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET輸出電流開關(guān)損耗 1.3k 0
通過驅(qū)動器源極引腳將開關(guān)損耗降低約35%
-接下來,請您介紹一下驅(qū)動器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先,能否請您對使用了驅(qū)動器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明?Figure 4是具有驅(qū)動器源極引...
2023-02-16 標(biāo)簽:驅(qū)動器引腳開關(guān)損耗 1.1k 0
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項(xiàng)
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同,因此在圖案布局時需要注意。
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動器源極引腳,可以提高導(dǎo)通速度。
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成;開關(guān)...
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小...
STGWA30IH160DF2 IGBT器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先進(jìn)、專有的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)打造。在軟換向...
2025-10-15 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 802 0
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