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      標簽　>　新潔能

      新潔能

      廠商產(chǎn)品 +關注 0人關注

      成立于2013年1月，注冊資本為14，168萬元，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。

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      新潔能簡介

      　　無錫新潔能股份有限公司（以下簡稱“公司”）成立于2013年1月，注冊資本為14，168萬元，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。

      　　目前公司員工總共300余人，其中研發(fā)人員80余人。公司成立以來即專注于MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發(fā)、設計及銷售，產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)且系列齊全，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領域；未來隨著云計算、大數(shù)據(jù)、智能電網(wǎng)、無人駕駛等領域的蓬勃發(fā)展，公司產(chǎn)品將在該等新興領域發(fā)揮重要作用。

      　　公司的主營業(yè)務為MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發(fā)、設計及銷售，公司銷售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和封裝成品。公司是專業(yè)化垂直分工廠商，芯片由公司設計方案后交由芯片代工企業(yè)進行代工生產(chǎn)，封裝成品由公司委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進行封裝測試而成。

      　　公司為國內(nèi)MOSFET等半導體功率器件設計領域領軍企業(yè)，2016年以來連續(xù)五年名列“中國半導體功率器件十強企業(yè)”。公司已建立江蘇省功率器件工程技術研究中心、江蘇省企業(yè)研究生工作站、東南大學-無錫新潔能功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心、江南大學-無錫新潔能功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心。公司參與的“智能功率驅動芯片設計及制備的關鍵技術與應用”項目獲得了2019年度江蘇省科學技術一等獎，且獲得2020年度國家技術發(fā)明獎。截至目前，公司擁有135項專利，其中發(fā)明專利36項；同時公司參與在IEEE，TDMR等國際知名期刊中發(fā)表論文13篇，其中SCI收錄論文7篇。2021年6月，公司榮列“福布斯2021中國最具創(chuàng)新力企業(yè)榜TOP50”。

      　　無錫電基集成科技有限公司位于無錫市新吳區(qū)電騰路6號，于2017年03月21日成立，是無錫新潔能股份有限公司的全資子公司。公司注冊資本27000萬元，占地15272平方米，建筑面積為21467平方米，目前封裝測試車間面積為8000平米，主要封裝形式為SOT、TO系列、DFN產(chǎn)品封裝。公司專注于高性能、高可靠性功率半導體分立器件和多芯片電源管理器件的封裝和測試，主營業(yè)務為電力電子元器件、集成電路及半導體模塊產(chǎn)品的設計、制造和銷售。公司具有當前世界先進水平的半導體器件封裝和測試生產(chǎn)線，主力設備全部從美國、日本、新加坡等國進口，自動化程度高，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性，為現(xiàn)代化大生產(chǎn)提供了堅實基礎。

      　　公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發(fā)領先產(chǎn)品，是國內(nèi)率先掌握超結理論技術，并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業(yè)之一，是國內(nèi)最早在12英寸工藝平臺實現(xiàn)溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET量產(chǎn)的企業(yè)，也是國內(nèi)MOSFET品類最齊全且產(chǎn)品技術領先的公司。同時，公司是國內(nèi)最早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺的本土企業(yè)之一，產(chǎn)品電壓已經(jīng)覆蓋了12V~1700V的全系列產(chǎn)品、達1500余種，為國內(nèi)MOSFET等功率器件市場占有率排名前列的本土企業(yè)。

      　　公司將進一步依托技術、品牌、渠道等綜合優(yōu)勢，結合大尺寸晶圓芯片（8英寸、12英寸）先進工藝技術，開拓國際先進功率器件封裝制造技術，全力推進高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)布局半導體功率器件最先進的技術領域，并投入對SiC/GaN寬禁帶半導體、智能功率器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，提升公司核心產(chǎn)品競爭力和國內(nèi)外市場地位。

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