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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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晶圓切割深度動態(tài)補償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測控制
摘要:本文針對超薄晶圓切割過程中 TTV 均勻性控制難題,研究晶圓切割深度動態(tài)補償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測控制方法。分析影響切割深度與 TTV 的...
基于多傳感器融合的切割深度動態(tài)補償與晶圓 TTV 協(xié)同控制
一、引言 在晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵指標。切割過程中,切割深度的精準控制直接影響 TTV 。然而,受切削...
晶圓切割中深度補償 - 切削熱耦合效應(yīng)對 TTV 均勻性的影響及抑制
一、引言 在晶圓制造流程中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是衡量晶圓質(zhì)量的核心指標,直接關(guān)系到芯片制造的良品率與性能表現(xiàn) 。切割深度補償技術(shù)能夠動態(tài)調(diào)整...
基于板級封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片...
切割深度動態(tài)補償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在晶圓制造過程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標,直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中,受切削力、振動、刀具磨損等因素...
晶圓蝕刻與擴散是半導(dǎo)體制造中兩個關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點的詳細介紹:一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻...
2025-07-15 標簽:晶圓半導(dǎo)體制造晶圓蝕刻 646 0
超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)研究
我將從超薄晶圓淺切多道切割技術(shù)的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā),結(jié)合相關(guān)研究案例,闡述該技術(shù)的關(guān)鍵要點與應(yīng)用前景。 超薄晶圓(
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)
一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致晶圓變形,進一步惡化 TTV 均勻性...
晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標,直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...
淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...
晶圓切割振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過程中的振動會影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度,而進給參數(shù)的設(shè)置對振動產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動監(jiān)測系統(tǒng)...
2025-07-10 標簽:晶圓監(jiān)測系統(tǒng)碳化 247 0
在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復(fù)雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴格控制每...
晶圓切割中振動 - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對厚度均勻性的影響及抑制方法
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造流程里,晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中,振動與應(yīng)力的耦合效應(yīng)顯著影響晶圓質(zhì)量,尤其對厚度均勻性干擾嚴重...
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中,熱場、力場、流場等多物理場相互耦合,引發(fā)切割振動,嚴重...
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