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標(biāo)簽 > 柵極電壓
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NMOS管的特性曲線(xiàn)(二)— 轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)詳解
轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn):固定VDS值,MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線(xiàn)。
教科書(shū)上沒(méi)講清楚的MOS管開(kāi)關(guān)重點(diǎn)今天全交代 MOS管開(kāi)關(guān)的過(guò)程解析
MOS管??梢哉f(shuō),幾乎所有的電子設(shè)備都離不開(kāi)這個(gè)它。雖然它看起來(lái)原理簡(jiǎn)單,但實(shí)際工作起來(lái)卻暗藏玄機(jī)。特別是它的開(kāi)關(guān)過(guò)程,平時(shí)用著沒(méi)事,一旦出問(wèn)題往往很多...
IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析
通過(guò)雙脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT直流母線(xiàn)脈沖測(cè)試 1.5萬(wàn) 0
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬(wàn) 0
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線(xiàn)電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護(hù)板是一種重要的組件,它能夠保護(hù)電池在過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成,如MOSFET...
NMOS管和PMOS管如何做開(kāi)關(guān)控制電路
NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止,因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
2024-01-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)控制柵極電壓NMOS管 8.2k 0
光學(xué)數(shù)據(jù)傳感、處理和視覺(jué)記憶是人工智能和具有自主導(dǎo)航功能的機(jī)器人的基本要求。在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,成像與模式識(shí)別電路分開(kāi)。
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度...
類(lèi)別:射頻無(wú)線(xiàn)論文 2012-05-30 標(biāo)簽:分立元件高壓電源線(xiàn)柵極電壓 1.1k 0
類(lèi)別:電源技術(shù) 2023-12-29 標(biāo)簽:筆記本電源管理供電系統(tǒng) 742 0
首鼎/SHOUDING 低壓充電源IC SDA09T規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:電源技術(shù) 2023-12-27 標(biāo)簽:PWM負(fù)載開(kāi)關(guān)柵極電壓 280 0
mos管的三個(gè)工作狀態(tài)介紹 MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種半導(dǎo)體器...
FET通過(guò)影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀,控制從源到漏的電子流(或者空穴流)。溝道是由(是否)加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的(為了討論的簡(jiǎn)便,這默認(rèn)體和源...
功率 MOSFET 最常用于開(kāi)關(guān)模式應(yīng)用中,它們用作開(kāi)關(guān)。然而,在 SMPS 中的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、反極性保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,功率 MOS...
2022-09-11 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器柵極電壓 1.1萬(wàn) 0
相對(duì)于耗盡型,增強(qiáng)型是通過(guò)“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來(lái)導(dǎo)通,如圖。柵極電壓越低,則p型源、漏極的正離子就越靠近中間,n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極,柵極電壓達(dá)到...
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和易于集成等優(yōu)點(diǎn),在電子電路中扮演著重要角色。然而,為了確保MOS管在實(shí)際應(yīng)用中的性能,必須進(jìn)行一系列的性能測(cè)試。這些測(cè)試...
MOS管在LED驅(qū)動(dòng)電源中的應(yīng)用
隨著LED技術(shù)的快速發(fā)展,LED照明因其高亮度、低能耗和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),逐漸成為照明市場(chǎng)的主流選擇。LED驅(qū)動(dòng)電源作為L(zhǎng)ED照明系統(tǒng)的核心部件,其性能直接...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管LED驅(qū)動(dòng)電源柵極電壓 3.5k 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,直流電機(jī)因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品中。MOS管因其高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻成為控制直流電機(jī)的理想選擇。...
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓? 大部分情況下,場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓(G極)不會(huì)大于漏極電壓(D極)。這是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的工作原...
2023-11-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管柵極電壓 2.9k 0
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類(lèi)型。它們被廣泛應(yīng)...
2023-09-21 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管BJT管 2.6k 0
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