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標簽 > 柵極電阻
柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動器輸出級是一種典型的設(shè)計,采用了兩個按圖騰柱形式配置的MOSFET。
由于柵級電阻上的大負載,建議使用電阻并聯(lián)的形式。這將產(chǎn)生一個冗余,如果一個柵極電阻損壞,系統(tǒng)可臨時運行,但開關(guān)損耗較大。每個并聯(lián)電阻有關(guān)功耗和峰值功率能力的性能,必須設(shè)計為滿足應(yīng)用中的最大柵級電流。采用柵級電阻并聯(lián)的方式,也有利于增強熱擴散。柵級電阻并聯(lián)的布局必須保證柵極電阻所產(chǎn)生的過大熱量不會使安裝在附近的元件過熱。在考慮布局時,必須為柵極電阻留出足夠大的冷卻區(qū)域。印刷電路板上合適的散熱器可用來實現(xiàn)更好的散熱。
有些驅(qū)動器只有一個輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。
5款雙向可控硅的電路應(yīng)用場景 雙向可控硅工作原理
RC吸收回路的參數(shù)取值,我們常見的馬達控制場合,常用的選取電阻為100歐。電容為0.01uF. 而起到噪聲保護的作用的,接在控制柵極和T1之間的電阻和電...
深入解析可控硅:工作原理、電路設(shè)計與應(yīng)用
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱T...
高端電流檢測簡介,試圖用LTC2063發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問題
在研究頻率響應(yīng)時,Neubean意識到,需要明確什么是開環(huán)響應(yīng)。如果與單位負反饋結(jié)合,構(gòu)成環(huán)路的正向路徑會從差值開始,結(jié)束于結(jié)果負輸入端。Neubean...
在了解mos管柵極電阻的作用之前,我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎(chǔ)知識。場效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏...
2022-09-27 標簽:場效應(yīng)管MOS管柵極電阻 1.0萬 0
1、如果沒有柵極電阻,或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過快,高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導(dǎo)通時,Rds...
AN7003_IGBT驅(qū)動?xùn)艠O電阻選擇原則及應(yīng)用立即下載
類別:電源技術(shù) 2012-10-18 標簽:IGBT驅(qū)動柵極電阻AN7003
類別:電子元器件應(yīng)用 2021-06-21 標簽:柵極柵極電阻
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常
功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型,一般有兩個優(yōu)化目標。一方面,選擇電阻值較小的柵極電阻,可以使得功率半導(dǎo)體的開關(guān)速度更快。這將降低開關(guān)損耗,從而降低總體損耗
2023-02-07 標簽:柵極電阻功率半導(dǎo)體電阻值 3.4k 0
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
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