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柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

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柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)

?UCC27624V 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC27624V是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V具有 5A 的典型峰值...

2025-09-26 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)電源開關(guān) 530 0

?UCC34141-Q1 汽車級(jí)隔離式DC/DC電源模塊技術(shù)文檔總結(jié)

UCC34141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊，旨在為 SiC 和 IGBT 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器供電。其專有的集成變壓器、倒裝...

2025-09-26 標(biāo)簽：電池電壓 IGBT 電源模塊 1.1k 0

?TPS1212-Q1 低功耗汽車高邊開關(guān)控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TPS1212-Q1 是一系列具有保護(hù)和診斷功能的低智商智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V 至 73V、74V absmax 的寬工作電壓范圍，適用于...

2025-09-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器開關(guān)控制器柵極驅(qū)動(dòng)器 409 0

?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要

TPS7H60x5 系列抗輻射性（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 2.1k 0

?TPS4816-Q1 高邊開關(guān)控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TPS4816-Q1 是一系列具有保護(hù)和診斷功能的低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。該器件具有 3.5V 至 95V 的寬工作電壓范圍（100V 絕對(duì)最大額定值...

2025-09-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 FET 灌電流 402 0

?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

2025-09-26 標(biāo)簽：ldo FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.9k 0

TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列輻射硬度保證（RHA）氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.9k 0

?UCC218200-Q1 文檔總結(jié)

UCC218200-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為工作電壓高達(dá) 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)功能...

2025-09-26 標(biāo)簽：IGBT SiC 拉電流 1.2k 0

DRV8770柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊技術(shù)解析

Texas Instruments DRV8770EVM柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 可以輕松評(píng)估DRV8770 100V器件。DRV8770器件提供...

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?UCC27302A-Q1 汽車級(jí)半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC27302A-Q1 是一款穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋或同步降壓配置的 N 溝道 MOSFET，絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3.7...

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2025-09-25 標(biāo)簽：MOSFET 瞬態(tài)電壓灌電流 380 0

?UCC21351-Q1 汽車級(jí)隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC21351-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MO...

2025-09-25 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 408 0

UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...

2025-09-25 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)IGBT 1.3k 0

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UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由...

2025-09-24 標(biāo)簽：MOSFET 封裝灌電流 594 0

DRV8328三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV832860V三相柵極驅(qū)動(dòng)器是一款集成柵極驅(qū)動(dòng)器，用于三相應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)...

2025-09-22 標(biāo)簽：MOSFET 三相 N溝道 385 0

?Texas Instruments UCC27624EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊技術(shù)解析

Texas Instruments UCC27624EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于評(píng)估UCC27624 30V、5A單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。該評(píng)估...

2025-09-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器單通道評(píng)估模塊 333 0

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Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、Si...

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德州儀器UCC27614EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析

Texas Instruments UCC27614EVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于評(píng)估UCC27614 30V、10A單通道2×2柵極驅(qū)動(dòng)器...

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基于UCC27614的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC27614/UCC27614-Q1單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器系列，可驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT、Si...

2025-09-18 標(biāo)簽：MOSFET 功率開關(guān)單通道 426 0

DRV8300U三相智能柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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2025-09-11 標(biāo)簽：三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 487 0

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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數(shù)字隔離器	ESD 保護(hù)	收發(fā)器	橋接器	多路復(fù)用器	氮化鎵	PFC	數(shù)字電源

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