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標簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料,具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅(SI3N4)陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機械和電性能。
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氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解
銅金屬化過程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層(Passivatio...
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機械性能和化學穩(wěn)定性,被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙(大約3.2電子伏特...
硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶...
目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì),因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來替換氧化物燒結(jié)助劑,如 YF3-MgO、MgF2...
氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應力,氮化硅的低密...
常用制備高導熱氮化硅陶瓷的燒結(jié)工藝現(xiàn)狀
隨著集成電路工業(yè)的發(fā)展,電力電子器件技術正朝著高電壓、大電流、大功率密度、小尺寸的方向發(fā)展。因此,高效的散熱系統(tǒng)是高集成電路必不可少的一部分。
在選擇陶瓷基板材料時,還需要考慮其對電路設計的影響。不同的陶瓷基板材料具有不同的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,這會影響到電路的傳輸特性和性能穩(wěn)定性。因此,需要根據(jù)...
中國第3代半導體半導體理想封裝材料——高導熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題
2022年9月,威海圓環(huán)先進陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標準規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達到量產(chǎn)規(guī)模,高導熱...
近日,瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院(EPFL)教授Tobias Kippenberg團隊開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路(光子芯片)技術,得到了創(chuàng)紀錄的...
如何提高氮化硅的實際熱導率實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的問題解決
綜合上述研究可發(fā)現(xiàn),雖然燒結(jié)方式不一樣,但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時,需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素,因...
羅杰斯公司于近日推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。由于氮化硅的機械強度比其它陶瓷高,所以新款curamik? 基板能夠幫...
國科光芯實現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm(1550 nm波長)級別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)
據(jù)麥姆斯咨詢報道,經(jīng)過兩年、十余次的設計和工藝迭代,國科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡稱:國科光芯)在國內(nèi)首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺,實現(xiàn)了傳...
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