?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔摘要

TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 2.1k 0

?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括TP...

2025-09-26 標(biāo)簽：ldoFET場效應(yīng)晶體管 1.9k 0

TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...

2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.8k 0

納微雙向氮化鎵開關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)單級變換新范式

如今，超過70%的高壓功率變換器采用 “兩級” 硅基拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。例如，典型的AC-DC電動汽車車載充電機(jī)（OBC）會先配置PFC級，再串聯(lián)DC-DC級，中...

2025-09-26 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器氮化鎵 6.2k 0

33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化

33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信...

2025-08-28 標(biāo)簽：氮化鎵引腳電源芯片 3.6k 0

氮化鎵電源芯片U8727AHE的特性

氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路...

2025-08-25 標(biāo)簽：氮化鎵電源芯片 3.7k 0

氮化鎵（GaN）技術(shù) | 電源領(lǐng)域的革命性突破

氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性...

2025-08-21 標(biāo)簽：電源氮化鎵 4.7k 0

氮化鎵電源IC U8732的主要特征

磁芯飽和會導(dǎo)致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關(guān)管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關(guān)電源主變壓器在工作過程中不會進(jìn)入磁飽和狀態(tài)。氮化鎵...

2025-08-18 標(biāo)簽：變壓器氮化鎵電源IC 4.3k 0

基于德州儀器LMH13000打造下一代激光雷達(dá)系統(tǒng)

人類駕駛汽車已有一百多年歷史，但安全記錄卻不盡如人意。盡管如今的車輛比以往任何時(shí)候都更安全，但在世界許多地區(qū)，汽車事故和傷亡人數(shù)仍在不斷上升。這一趨勢在...

2025-08-16 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵激光雷達(dá) 5.9k 0

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）丨助力 LED 緩沖層性能優(yōu)化

在現(xiàn)代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應(yīng)用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響?？蒲腥藛T通過HVPE與MOCVD結(jié)合技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上制備了不同緩沖...

2025-08-11 標(biāo)簽：led氮化鎵GaN 3.9k 0

PD65W氮化鎵快充電源應(yīng)用方案

設(shè)計(jì)大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容...

2025-08-06 標(biāo)簽：電源氮化鎵同步整流電路 3.4k 0

氮化鎵電源IC U8731引腳說明

芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進(jìn)行連接的引腳。引腳可以傳輸數(shù)字信號和模擬信號，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點(diǎn)介紹的是深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源...

2025-07-29 標(biāo)簽：封裝氮化鎵電源IC 3.7k 0

氮化鎵電源芯片U8723AH產(chǎn)品介紹

氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)...

2025-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵電源芯片 3.6k 0

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶...

2025-07-25 標(biāo)簽：氮化鎵功率級開關(guān)模式電源 3.8k 0

手機(jī)充電器IC U65133的工作原理

氮化鎵快充的優(yōu)勢無需多言，市場需求足可以證明一切。也有小伙伴一直在關(guān)注普通充電器這塊，主要是因?yàn)槠粘?兼容性強(qiáng)，幾乎所有設(shè)備（包括老舊手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等）...

2025-07-22 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充 2.5k 0

氮化鎵快充芯片U8725AHE的工作原理

氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更...

2025-07-18 標(biāo)簽：氮化鎵GaN快充芯片 2.6k 0

同步整流芯片U7714產(chǎn)品概述

同步整流芯片U7714是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7714內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需...

2025-07-16 標(biāo)簽：氮化鎵快充同步整流芯片 2.2k 0

氮化鎵快充IC U8733L的工作原理

通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn)，所以快充充電器比...

2025-07-15 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 2.3k 0

Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于提供一個快速簡便的評估平臺，用來評估任何半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中...

2025-07-15 標(biāo)簽：氮化鎵評估模塊EVM 2k 0

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器...

2025-07-06 標(biāo)簽：驅(qū)動器電平轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2.7k 0