好消息！深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U872XAHE系列，規(guī)格書升級，新增料號U8727AHE，封裝形式ESOP-7，集成MOS耐壓700V，推薦最大輸出功率100W！

氮化鎵電源芯片U8727AHE特性：

& 集成高壓E-GaN

& 集成高壓啟動功能

& 超低啟動和工作電流，待機功耗<30mW

& 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

& 集成EMI優(yōu)化技術(shù)

& 驅(qū)動電流分檔配置

& 集成Boost供電電路

& 集成完備的保護功能：

VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)

輸出過壓/欠壓保護(DEM OVP/UVP)

輸入過壓/欠壓保護(LOVP /BOP)

片內(nèi)過熱保護(OTP)

逐周期電流限制(OCP)

異常過流保護(AOCP)

短路保護(SCP)

過載保護(OLP)

前沿消隱(LEB)

CS管腳開路保護

& 封裝類型ESOP-7

U8727AHEYINLIANBAO

氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.4V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此U8727AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。如圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數(shù)表。

氮化鎵電源芯片U8727AHE系列還集成輕載SR應力優(yōu)化功能，在驅(qū)動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。

氮化鎵電源芯片U8727AHE管腳：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地