硅晶圓

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硅晶圓（wafer）用來(lái)制造集成電路（IC）的載板，在上面布滿晶粒，將晶粒切開(kāi)后得到芯片，將芯片經(jīng)過(guò)封裝測(cè)試，制成集成電路。硅晶圓尺寸是它的直徑，目前較常見(jiàn)的有6、8、12英寸。

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硅晶圓技術(shù)

什么是硅片或者晶圓？硅晶圓的工作原理

太陽(yáng)能電池需要硅晶片來(lái)提高效率并吸收更多的陽(yáng)光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽(yáng)能電池效率提高近...

2023-06-12 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池晶圓硅晶圓 5.2k 0

基于晶圓鍵合的高效單晶圓清洗

就微粒污染而言，不同的微電子工藝需要非常干凈的表面。其中，直接晶片粘接在顆粒清潔度方面有非常積極的要求。直接晶圓鍵合是將兩種材料結(jié)合在一起，只需將它們光...

2023-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶圓 1.6k 0

離子注入技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

離子注入過(guò)程提供了比擴(kuò)散過(guò)程更好的摻雜工藝控制（見(jiàn)下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過(guò)程中無(wú)法獨(dú)立控制，因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注...

2023-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝硅晶圓 4.1k 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展

實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念，它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對(duì)器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶...

2023-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝硅晶圓 1.2k 0

央視科普：什么是芯片？如何制造芯片？

芯片做好后，用精細(xì)的切割器將芯片從晶圓上切下來(lái)，焊接到基片上，裝殼密封。經(jīng)過(guò)測(cè)試后就可以包裝銷售了

2023-03-15 標(biāo)簽：芯片硅晶圓 1.0萬(wàn) 0

濕法刻蝕工藝的流程包括哪些？

濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。

2023-02-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓 PVD 7.2k 0

氮化鎵功率晶體管基礎(chǔ)

一個(gè)器件的成本效益，從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開(kāi)始計(jì)算。宜普公司的工藝技術(shù)，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁（Aluminum Nitride/...

2023-02-08 標(biāo)簽：晶體管硅晶圓氮化鎵 2.7k 0

12英寸晶圓價(jià)格將2023年平均上漲20%

硅晶圓作為半導(dǎo)體產(chǎn)品最重要的原材料，其市場(chǎng)規(guī)模的波動(dòng)方向也基本與全球半導(dǎo)體銷售額一致，且波動(dòng)幅度更大，具有明顯的周期性。

2022-09-16 標(biāo)簽：晶圓硅晶圓 3.1k 0

用于硅晶圓的全新RCA清洗技術(shù)

RCA清洗技術(shù)是用于清洗硅晶圓等的技術(shù)，由于其高可靠性，30多年來(lái)一直被用于半導(dǎo)體和平板顯示器(FPD)領(lǐng)域的清洗。其基礎(chǔ)是以除去顆粒為目的的氨水-過(guò)氧...

2022-04-21 標(biāo)簽：硅晶圓清洗 RCA 2.3k 0

詳解硅晶圓的超精密清洗、干燥技術(shù)

隨著LSI集成度的顯著增加，各元件的斷面構(gòu)造從平面型向以溝槽（溝）構(gòu)造的出現(xiàn)為代表的三維構(gòu)造變遷。在以極限微細(xì)化為指向的LSI技術(shù)中，為了能夠?qū)?yīng)凹凸嚴(yán)...

2022-04-19 標(biāo)簽：硅晶圓清洗 3.2k 0

硅晶圓表面的金屬及粒子的附著行為

隨著器件的高集成化，對(duì)高質(zhì)量硅晶片的期望。高質(zhì)量晶片是指晶體質(zhì)量、加工質(zhì)量以及表面質(zhì)量?jī)?yōu)異的晶片。此外，芯片尺寸的擴(kuò)大、制造成本的增加等問(wèn)題受到重視，近...

2022-04-18 標(biāo)簽：硅晶圓清洗 1.4k 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)研究

硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層...

2022-04-12 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻 1.4k 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2.7k 0

一片硅晶圓對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響分析

作為百億美元級(jí)別的行業(yè)，半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模不算很大，但其內(nèi)部材料種類繁多，單一產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模小、技術(shù)要求高、子行業(yè)之間差異較大。其中硅片占比半導(dǎo)體材料市...

2021-03-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體摩爾定律硅晶圓 3.8k 0

關(guān)于Intel生產(chǎn)量子芯片硅晶圓的性能介紹和應(yīng)用

一方面，量子位十分脆弱，任何噪音或者干擾都可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。英特爾指出，量子位要在極度低溫下運(yùn)行，約零下273攝氏度。

2019-08-31 標(biāo)簽：芯片硅晶圓量子計(jì)算 5.9k 0

制作一顆硅晶圓需要哪些半導(dǎo)體設(shè)備

眾所周知，半導(dǎo)體作為最重要的產(chǎn)業(yè)之一，每年為全球貢獻(xiàn)近五千億美金的產(chǎn)值，可以毫不夸張的說(shuō)，半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)處不在。

2018-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓 1.1萬(wàn) 0

生產(chǎn)硅晶圓a股上市公司

本文主要詳細(xì)介紹了六家生產(chǎn)硅晶圓的上市公司。硅晶圓是硅元素進(jìn)行純化之后的一種化工材料，在制造電路的實(shí)驗(yàn)半導(dǎo)體當(dāng)中，經(jīng)常會(huì)使用到這種材料。簡(jiǎn)而言之，就是在...

2018-08-25 標(biāo)簽：晶圓硅晶圓 4.8萬(wàn) 0

全球十大硅晶圓生產(chǎn)廠商排名

全球十大硅晶圓生產(chǎn)廠商排名，具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。

2018-07-24 標(biāo)簽：硅晶圓 5.9萬(wàn) 0

什么是硅晶圓？哪些廠商生產(chǎn)硅晶圓？

硅晶圓就是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成長(zhǎng)硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過(guò)照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多...

2018-03-26 標(biāo)簽：晶圓硅晶圓 4.4萬(wàn) 0

硅光子技術(shù)全面普及：體驗(yàn)硅發(fā)光技術(shù)的進(jìn)展

關(guān)于在硅晶圓上實(shí)現(xiàn)光傳輸?shù)摹肮韫庾印奔夹g(shù)，其實(shí)用化和研發(fā)的推進(jìn)速度都超過(guò)了預(yù)期。其中，日本的進(jìn)展尤其顯著。日本在高密度集成技術(shù)和調(diào)制器等的小型化方面世界...

2013-05-10 標(biāo)簽：硅晶圓光通信硅光子 8.6k 3

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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