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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC碳化硅的崛起：現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)?、趨勢及器件?jí)集成技術(shù)解析

傾佳電子SiC碳化硅的崛起：現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)洹②厔菁捌骷?jí)集成技術(shù)解析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...

2025-10-19 標(biāo)簽：逆變器 SiC 碳化硅 670 0

大尺寸玻璃晶圓（12 英寸 +）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、顯示面板、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色。總厚度偏差（TTV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、...

2025-10-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 56 0

碳化硅雙極退化：材料的本征局限還是工藝難題？

在功率電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）器件以其優(yōu)異的性能正逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件。然而，SiCMOSFET和SiC二極管在實(shí)際應(yīng)用中卻面臨一種特殊的可靠性挑戰(zhàn)—...

2025-10-15 標(biāo)簽：材料 SiC 碳化硅 60 0

800VDC，AI能效之鑰：AOS創(chuàng)新功率組合方案

AOS公司以創(chuàng)新方案賦能新一代AI數(shù)據(jù)中心800V直流（800VDC）電源架構(gòu)——碳化硅、氮化鎵、功率MOSFET及電源IC解決方案構(gòu)建高效能源基石。 ...

2025-10-14 標(biāo)簽：AI VDC 碳化硅 3.1k 0

【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

一、引言玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確分析對半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域至關(guān)重要。傳統(tǒng) TTV 厚度數(shù)據(jù)分析方法依賴...

2025-10-11 標(biāo)簽：晶圓碳化硅深度學(xué)習(xí) 105 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 310 0

三代半碳化硅（SiC）外延層厚度及均勻性無損檢測技術(shù)的詳解

前段時(shí)間，因?yàn)槲抑霸谀称脚_(tái)上分享了一篇關(guān)于“ 半導(dǎo)體碳化硅（SiC）同質(zhì)外延層厚度無損紅外反射光譜法的分析詳解； ”的文章而被很多同行或是有興...

2025-10-01 標(biāo)簽：無損檢測技術(shù)碳化硅外延片 14 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

一、引言玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）測量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，對半導(dǎo)體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要。在實(shí)際測量過程中，數(shù)據(jù)異常情況時(shí)有發(fā)生，不...

2025-09-29 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 253 0

[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

一、引言碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...

2025-09-22 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.3k 0

【新啟航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...

2025-09-20 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 301 0

傾佳電子技術(shù)報(bào)告：基本半導(dǎo)體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)潛力評(píng)估

傾佳電子技術(shù)報(bào)告：基本半導(dǎo)體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)潛力評(píng)估傾佳電子（Changer Tech）是一家專...

2025-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 SiC模塊 1.5k 0

【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

一、引言碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性。外延片的 TTV 厚...

2025-09-18 標(biāo)簽：碳化硅外延片功率半導(dǎo)體器件 378 0

PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案

本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展，系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設(shè)計(jì)人員的...

2025-09-17 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅太陽能系統(tǒng) 681 0

解析Wolfspeed頂部散熱碳化硅功率器件

面對電力電子應(yīng)用與日俱增的需求，高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢。工程師們常常面臨多方面...

2025-09-17 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 410 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法

一、引言碳化硅（SiC）憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能，成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料?？偤穸绕睿═TV）作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確測量對器...

2025-09-16 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.5k 0

基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上...

2025-09-15 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅半橋模塊 673 0

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制研究

一、引言化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝是實(shí)現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡...

2025-09-11 標(biāo)簽：CMP 碳化硅拋光 399 0

探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測量方法對比評(píng)測

一、引言碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，準(zhǔn)確測量 TTV...

2025-09-10 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 805 0

芯干線SiC功率模塊的應(yīng)用優(yōu)勢

碳化硅（SiC）的禁帶寬度約為3.3eV，顯著大于硅（Si）的1.1eV。禁帶寬度大的材料，需更多能量才能將電子從價(jià)帶激發(fā)至導(dǎo)帶，這使得 SiC 能在更...

2025-09-05 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 461 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

摘要本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化（TTV）厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題，深入分析二者的相互關(guān)系及對器件性能的影響，從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)...

2025-09-04 標(biāo)簽：晶圓器件碳化硅 550 0

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Arduino

Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽

金升陽

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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
美滿電子

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Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
研華

研華

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32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
STM32F4

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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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碳化硅

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