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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC碳化硅的崛起：現(xiàn)代戶用混合逆變器拓撲、趨勢及器件級集成技術(shù)解析

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2025-10-19 標簽：逆變器 SiC 碳化硅 751 0

大尺寸玻璃晶圓（12 英寸 +）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圓在半導體制造、顯示面板、微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色 ?？偤穸绕睿═TV）的均勻性直接影響晶圓后續(xù)光刻、...

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碳化硅雙極退化：材料的本征局限還是工藝難題？

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2025-10-15 標簽：材料 SiC 碳化硅 67 0

800VDC，AI能效之鑰：AOS創(chuàng)新功率組合方案

AOS公司以創(chuàng)新方案賦能新一代AI數(shù)據(jù)中心800V直流（800VDC）電源架構(gòu)——碳化硅、氮化鎵、功率MOSFET及電源IC解決方案構(gòu)建高效能源基石。 ...

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【新啟航】深度學習在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應用

一、引言玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標，其精確分析對半導體制造、微流控芯片等領(lǐng)域至關(guān)重要。傳統(tǒng) TTV 厚度數(shù)據(jù)分析方法依賴...

2025-10-11 標簽：晶圓碳化硅深度學習 108 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言玻璃晶圓在半導體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標簽：晶圓光刻碳化硅 312 0

三代半碳化硅（SiC）外延層厚度及均勻性無損檢測技術(shù)的詳解

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2025-10-01 標簽：無損檢測技術(shù)碳化硅外延片 21 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

一、引言玻璃晶圓總厚度偏差（TTV）測量數(shù)據(jù)的準確性，對半導體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要。在實際測量過程中，數(shù)據(jù)異常情況時有發(fā)生，不...

2025-09-29 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 259 0

[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

一、引言碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...

2025-09-22 標簽：晶圓厚度測量碳化硅 1.3k 0

【新啟航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

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2025-09-20 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 302 0

傾佳電子技術(shù)報告：基本半導體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應用中的技術(shù)潛力評估

傾佳電子技術(shù)報告：基本半導體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關(guān)鍵工業(yè)應用中的技術(shù)潛力評估傾佳電子（Changer Tech）是一家專...

2025-09-21 標簽：半導體碳化硅 SiC模塊 1.5k 0

【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

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2025-09-18 標簽：碳化硅外延片功率半導體器件 385 0

PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案

本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展，系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設(shè)計人員的...

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基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上...

2025-09-15 標簽：MOSFET 碳化硅半橋模塊 679 0

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機制研究

一、引言化學機械拋光（CMP）工藝是實現(xiàn)碳化硅（SiC）襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要?？偤穸绕睿═TV）作為衡...

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探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測量方法對比評測

一、引言碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應用廣泛。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標，準確測量 TTV...

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芯干線SiC功率模塊的應用優(yōu)勢

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2025-09-04 標簽：晶圓器件碳化硅 552 0

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