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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關(guān)效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該...

2024-06-19 標(biāo)簽：電阻 MOSFET SiC 1.5k 0

碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計(jì)算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力，如果考慮日/夜周期，入射角，季節(jié)性等因素，每天...

2023-12-13 標(biāo)簽：太陽能逆變器光伏 1.5k 0

基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設(shè)計(jì)

在電動(dòng)車發(fā)展的過程當(dāng)中，充電和換電是兩個(gè)同時(shí)存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求?，F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有...

2024-07-08 標(biāo)簽：安森美 SiC 充電站 1.5k 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.5k 0

使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車（EV）車載充電機(jī)（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到 2 kW，到高端電動(dòng)汽車中的 22 kW 不等...

2022-11-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車碳化硅車載充電機(jī) 1.5k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...

2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.5k 0

用于最高電壓等級(jí)的硅IGBT和碳化硅MOSFET

對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?，再到更?fù)雜的變流器

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 晶閘管 IGBT 1.5k 0

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件在車載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用2

OBC作為新能源汽車的核心部件之一，其效率、功率密度等參數(shù)對(duì)新能源汽車充電時(shí)間和續(xù)航里程具有一定影響。在保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性的前提下，更高的功...

2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅 OBC 1.5k 0

納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式

電網(wǎng)通過輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國，由于儲(chǔ)能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)有限，利用電力儲(chǔ)存來支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。

2023-09-15 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器碳化硅 1.5k 0

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.5k 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法

一、引言碳化硅（SiC）憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能，成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料?？偤穸绕睿═TV）作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確測(cè)量對(duì)器...

2025-09-16 標(biāo)簽：晶圓厚度測(cè)量碳化硅 1.5k 0

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfs...

2025-02-19 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

碳化硅功率器件的可靠性是指該器件在正常工作條件下，能夠持續(xù)穩(wěn)定地提供所需的功率，并且不會(huì)出現(xiàn)故障或失效的可能性。

2023-02-19 標(biāo)簽：功率器件可靠性分析碳化硅 1.4k 0

碳化硅二極管的區(qū)別和用途

隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.4k 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，...

2023-06-28 標(biāo)簽：封裝功率器件 SiC 1.4k 0

碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標(biāo)簽：封裝技術(shù)BGA 功率器件 1.4k 0

光伏板碳化硅二極管怎么選

選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。

2024-09-29 標(biāo)簽：二極管光伏系統(tǒng)碳化硅 1.4k 0

山大與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 1.4k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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碳化硅

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