碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.3k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出...

2024-01-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1.3k 0

氮化鎵外延為何不生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì)，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體氮化鎵 1.3k 0

電裝和三菱電機(jī)將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計(jì)投資10億美元

市場(chǎng)估計(jì)表明，SiC總潛在市場(chǎng)將從2022年的30億美元增長(zhǎng)到2030年的210億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為28%。 相干公司宣布，電裝和三菱電機(jī)將在其碳化硅...

2023-10-12 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率器件電裝 1.2k 0

全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對(duì)我國(guó)有何啟示

寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的電子飽和速度和強(qiáng)的抗輻射等特性，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下，近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

2023-07-24 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET變頻器 1.2k 0

碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.2k 0

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面。

2023-04-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 1.2k 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng)前景

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.2k 0

二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是什么意思

二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是一個(gè)涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經(jīng)歷從正向?qū)顟B(tài)到反向偏置狀態(tài)（或相反過程）時(shí)，其電流和電...

2024-09-13 標(biāo)簽：二極管頻率碳化硅 1.2k 0

聊一聊碳化硅的下一波的制造、供應(yīng)鏈和成本

　毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：好的。所以今天，我們就來聊聊SiC，下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。

2023-02-09 標(biāo)簽：碳化硅 1.2k 0