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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇
電動化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢,對高速充電的需求持續(xù)提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 713 0
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 699 0
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 698 0
在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案
本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展,系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設(shè)計人員的...
2025-09-17 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅太陽能系統(tǒng) 689 0
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 687 0
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上...
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 681 0
碳化硅功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢和現(xiàn)狀
中低壓產(chǎn)品性能可靠性滿足應(yīng)用要求,產(chǎn)品耐壓提升到2000V及以上. 產(chǎn)品發(fā)展到第三代,采用新型柵氧、溝槽結(jié)構(gòu)、集成肖特基二極管等技術(shù).
納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲能、 微網(wǎng)、電動汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...
2025-07-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 660 0
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 658 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 653 0
SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 652 0
SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反...
碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用
服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點存儲,處理著網(wǎng)絡(luò)上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運行,承載著整個企業(yè)甚至全球各地的訪問任務(wù),這主要歸功于其高性能、高...
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