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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅設(shè)計創(chuàng)新以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

推動電動汽車市場發(fā)展的綠色意識和法規(guī)推動了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計的創(chuàng)新，以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。

2023-09-07 標(biāo)簽：電動汽車太陽能電池電池充電器 554 0

【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制方法

摘要本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化（TTV）厚度與表面粗糙度的協(xié)同控制問題，深入分析二者的相互關(guān)系及對器件性能的影響，從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)...

2025-09-04 標(biāo)簽：晶圓器件碳化硅 553 0

這幾張關(guān)于碳化硅的圖值得研究

在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。

2024-01-04 標(biāo)簽：新能源汽車逆變器斷路器 542 0

碳化硅器件在高效可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。

2023-06-13 標(biāo)簽：太陽能電池逆變器碳化硅 542 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 536 0

碳化硅襯底厚度測量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭...

2025-06-11 標(biāo)簽：測量碳化硅晶圓厚度 532 0

聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機理及預(yù)警

摘要本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系，探究其退化機理，并提出相應(yīng)的預(yù)警方法，為保障晶圓研磨質(zhì)量...

2025-08-05 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 530 0

SiC和GaN市場未來如何發(fā)展

氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域，相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達(dá)12億人民幣，投資方...

2024-01-10 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)光伏 SiC 524 0

使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

作者： Art Pini 從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站，電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...

2025-05-25 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅開關(guān)模式電源 516 0

關(guān)于對碳化硅誤解的描述

碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 硅晶圓 515 0

自動對刀技術(shù)對碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

摘要：碳化硅襯底切割對起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動對刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進(jìn)而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動...

2025-06-26 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV厚度 514 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動也常常被低調(diào)處理。

2024-03-14 標(biāo)簽：SiC Infineon 碳化硅 513 0

梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對晶圓 TTV 均勻性的提升

摘要本文聚焦半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，介紹梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備方法，深入探究其對晶圓總厚度變化（TTV）均勻性的提升作用，為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技...

2025-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 512 0

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 IGBT 509 0

SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-18 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 晶體管 507 0

碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

摘要：碳化硅襯底切割過程中，進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián)，二者協(xié)同調(diào)控對提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機制，探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...

2025-06-25 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV 504 0

國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢

碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分，分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。海外以IDM為主要...

2022-12-28 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 494 0

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

摘要本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測...

2025-08-08 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 493 0

【新啟航】國產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析

本文通過對比國產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護(hù)成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機構(gòu)選購測量設(shè)備...

2025-08-15 標(biāo)簽：測量儀半導(dǎo)體制造碳化硅 491 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術(shù)語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 487 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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