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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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傾佳電子代理的基本半導體SiC模塊等碳化硅功率器件全線產品概述
當前,全球能源結構加速向清潔化、電動化與智能化升級,功率半導體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料,憑借...
國產SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)及SiC分立器件產品技術特點分析
碳化硅(SiC)屬于第三代寬禁帶半導體,帶隙寬度高達3.26 eV(為硅的近3倍),決定了其具備高臨界擊穿場強、高熱導率、高電子飽和漂移速率和優(yōu)異的高溫...
隨著全球對能源效率和可持續(xù)發(fā)展的關注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻...
Wolfspeed榮獲2025年度優(yōu)秀功率器件產品獎
elexcon2025 - 第 22 屆深圳國際電子展于 2025 年 8 月 26 - 28 日在深圳會展中心(福田)舉行。作為本土重要的專業(yè)電子元件...
無錫半導體展:匯專全新升級超聲機床實現(xiàn)CVD碳化硅噴淋盤加工新突破
9月4-6日,匯專將攜兩款全新機型——超聲綠色雕銑加工中心UEM-600PLUS、超聲雙主軸立式加工中心UDV-550重磅亮相第十三屆半導體設備與核心部...
傾佳電子SiC MOSFET串擾Crosstalk效應深度解析與綜合抑制策略研究報告
傾佳電子SiC MOSFET串擾Crosstalk效應深度解析與綜合抑制策略研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源...
2025-09-01 標簽:串擾碳化硅SiC MOSFET 2.1k 0
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關行為深度解析及體二極管的關斷特性
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關行為深度解析,特別是其本征體二極管的關斷特性 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車...
SiC碳化硅MOSFET在LLC應用中取代超結MOSFET的優(yōu)勢和邏輯
傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應用中取代超結MOSFET的優(yōu)勢和邏輯 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...
基本半導體SiC功率模塊與驅動板技術優(yōu)勢及應用價值深度分析
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的杰出代表,其物理特性,如寬禁帶、高臨界電場和高熱導率,從根本上超越了傳統(tǒng)硅(Si)基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)...
納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布一項重要人事任命:納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官,自2025...
8月23日,深圳基本半導體股份有限公司(簡稱“基本半導體”)與中汽芯(深圳)科技有限公司(簡稱“中汽芯”)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。
深度分析SiC MOSFET在下一代電力電子系統(tǒng)中的應用價值
深度分析傾佳電子SiC MOSFET在下一代電力電子系統(tǒng)中的應用價值 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷...
2025-08-26 標簽:碳化硅SiC MOSFET 781 0
基于62mm碳化硅(SiC)模塊的大功率雙向DC-DC隔離電源
傾佳電子代理的基本半導體62mm碳化硅(SiC)模塊,可以設計一個大功率雙向DC-DC隔離電源。這兩種模塊都屬于半橋模塊,非常適合用于雙向DC-DC變換...
碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子市場推廣中的核心技術洞見與溝通策略
國產碳化硅(SiC)MOSFET比如BASiC基本半導體代理商銷售經理在電力電子市場推廣中的核心技術洞見與溝通策略:國產碳化硅(SiC)MOSFET比如...
傾佳電子基于碳化硅MOSFET的圖騰柱無橋PFC技術深度分析報告
傾佳電子基于碳化硅MOSFET的圖騰柱無橋PFC技術深度分析報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。...
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